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이용수
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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LDD MOSFET의 최적화에 관한 연구 ( Study on the Optimization of LDD MOSFET )
전자공학회논문지
1987 .05
LDD MOSFET의 누설전류에 관한 연구 ( A Study on the Leakage Current of LDD MOSFET )
한국통신학회 전문대학 논문지
1995 .01
LDD MOSFET 채널 전계의 특성 해석
전기학회논문지
1989 .06
LDD 방식에 의한 Short Channel MOSFET에 관한 연구 ( A Study on Short Channel MOSFET by the LDD Technology )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
LDD MOSFET의 기생저항에 대한 간단한 모형 ( A Simple Model for Parasitic Resistances of LDD MOSFETS )
전자공학회논문지
1990 .11
N-MOSFET의 N-LDD 이온주입에 따른 역단채널효과 ( Effects of N-LDD Implantation on Reverse Short-Channel Behavior in n-MOSFET`s )
대한전자공학회 워크샵
1996 .01
n-MOSFET LDD 구조의 정전기 방전 시뮬레이션 ( Electrostatic Discharge Simulation in LDD n-MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
LDD MOSFET 채널 특성해석
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .11
Hot carrier 스트레스에 의한 LDD n-MOSFET의 열화 특성 파악 및 새로운 Idlin 열화 모델 구현
대한전자공학회 학술대회
2002 .11
핫 캐리어 신뢰성 개선을 위한 새로운 LDD 구조에 대한 연구
전기전자재료학회논문지
2002 .01
Threshold Voltage due to Stress and Temperature with Hot Carrier Effects for Short Channel LDD n-MOSFETs
JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
1994 .01
n-불순물 농도에 따른 N-채널 LDD 트랜지스터의 노쇠현상 ( n-Doping Density Dependent Hot-Carrier Degradation in N-Channel LDD MOSFET's )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
VLSI CMOS 소자를 위한 LDD N-Mosfet ( LDD N-MOSFET for VLSI CMOS Devices )
대한전자공학회 학술대회
1986 .01
짧은 채널 LDD MOSFETS에서 게이트 전압에 의존하는 기생 저항 ( GATE-VOLTAGE DEPENDENT PARASITIC RESISTANCE IN SHORT CHANNEL LIGHTLY DOPED DRAIN ( LDD ) MOSFETS )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
Device Reliability of LDD MOSFET with Nitride Spacer
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
Determination of the Gate-Voltage-Dependent Series Resistance of LDD MOSFET`s
JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
1994 .01
LDD 공정 조건에 따른 펀치쓰루 및 핫 캐리어 효과에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .07
LDD 소자 최적화의 실험적 고찰 ( An Experimental Investigation of LDD Device Optimization )
전자공학회논문지
1990 .03
DC 스트레스에 의해 노쇠화된 LDD MOSFET에서 문턱전압과 Subthreshold 전류곡선의 변화 ( The Shift of Threshold Voltage and Subthreshold Current Curve in LDD MOSFET Degraded Under Different DC Stress-Biases )
전자공학회논문지
1989 .05
Hot Electron Degradation via Hot Hole Injection in Submicron Buried-Channel LDD P-MOSFET`s
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1995 .01
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