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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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ICP-CVD 방법에 의해 성장된 탄소나노튜브의 Ni 및 Co 촉매 두께에 따른 구고적 물성 및 전계 방출 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2003 .07
ICP-CVD 방법으로 합성된 탄소 나노튜브의 구조적 물성 및 전계방출 특성에 촉매의 전처리 공정이 미치는 영향
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .07
ICP-CVD 방법을 이용하여 Ni 및 Invar 촉매 위에 성장시킨 탄소나노튜브의 구조적 물성 및 전계방출 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2004 .07
플라즈마 CVD를 이용한 탄소나노튜브의 성장
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2005 .06
Characterizations of i-a-Si:H and p-a-SiC:H Film using ICP-CVD Method to the Fabrication of Large-area Heterojunction Silicon Solar Cells
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2008 .01
ICP-CVD로 성장된 SiC 박막위에 다양한 금속으로 제작된 Schottky diode의 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .11
N2+H2 ICP 표면처리를 이용한 CVD 그래핀 도핑 연구
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2012 .11
ICP 방법으로 증착한 SiC 박막의 성장 및 특성 고찰
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
Characteristics of Ni/SiC Schottky Diodes Grown by ICP-CVD
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
2004 .06
새로운 CVD 방법에 의하여 제작된 실리콘 박막의 특성 연구 ( Characterization of Silicon Thin Films Prepared by New CVD Technique )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
ICP-CVD 방법으로 성장된 탄소 나노튜브의 구조적 특성 및 전계방출 특성 : 기판전압 인가 효과
전기학회논문지
2007 .01
극저온(150℃)에서 ICP-CVD로 증착한 Nanocrystalline-Si 박막
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .11
CVD 기술동향
전자공학회지
2001 .08
DEPOSITION OF A-SIC : H FILMS ON AN UNHEATED SI SUBSTRATE BY LOW FREQUENCY (50㎐) PLASMA Cvd
한국표면공학회지
1996 .12
SiO2 식각 특성 개선을 위한 E-ICP와 ICP 식각 비교
대한전자공학회 학술대회
1999 .11
고주파 발진기를 이용한 CVD 장치의 제작 및 평가 ( Fabrication and Evaluation of CVD System using R. F. Generator )
대한전자공학회 학술대회
1985 .01
Low temperature preparation of SnO₂films by ICP-CVD
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2007 .04
Synthesis and characterization of CNT ICP nanocomposite thin films with improved conductivity
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2010 .04
Gas 주입구 위치 변화에 따른 ICP-CVD SiO₂의 두께 균일도 개선 모델링
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2007 .04
CVD Pt 박막의 증착과 특성 분석
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
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