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이용수
Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
[참고문헌]
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ICP-CVD 방법에 의해 성장된 탄소나노튜브의 Ni 및 Co 촉매 두께에 따른 구고적 물성 및 전계 방출 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2003 .07
ICP-CVD 방법을 이용한 탄소나노튜브의 제작 및 물성분석
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2002 .07
ICP-CVD 방법을 이용하여 Ni 및 Invar 촉매 위에 성장시킨 탄소나노튜브의 구조적 물성 및 전계방출 특성
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2004 .07
CVD에 의한 탄소나노튜브의 구조 및 성장에 대한 촉매금속의 영향
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
다양한 방법에 의해 성장된 탄소 나노튜브의 전계방출 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
2011 .07
플라즈마 CVD를 이용한 탄소나노튜브의 성장
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2005 .06
Characterizations of i-a-Si:H and p-a-SiC:H Film using ICP-CVD Method to the Fabrication of Large-area Heterojunction Silicon Solar Cells
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2008 .01
ICP-CVD 방법으로 성장된 탄소 나노튜브의 구조적 특성 및 전계방출 특성 : 기판전압 인가 효과
전기학회논문지
2007 .01
탄소나노튜브에서 전계방출
인포메이션 디스플레이
2006 .01
ICP 방법으로 증착한 SiC 박막의 성장 및 특성 고찰
대한전기학회 학술대회 논문집
1998 .11
그래핀을 이용한 탄소나노튜브 전계방출소자 계면 개질 및 전자 추진계 응용
한국항공우주학회지
2012 .11
열화학기상합성법을 이용한 탄소 나노튜브의 밀도 제어 및 전계방출 특성
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
N2+H2 ICP 표면처리를 이용한 CVD 그래핀 도핑 연구
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2012 .11
열 CVD에 의한 탄소나노튜브의 성장 및 구조의 온도 의존성
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .07
극저온(150℃)에서 ICP-CVD로 증착한 Nanocrystalline-Si 박막
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .11
제조 조건에 따른 탄소 나노튜브의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
화학기상증착 공정에 의한 탄소나노튜브 합성시 메카노케미컬 효과에 대한 연구
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
탄소나노튜브(Carbon Nanotube) 소재 합성기술 동향
인포메이션 디스플레이
2003 .01
Alumina 파우더로 직접 성장시킨 탄소나노튜브
대한전기학회 학술대회 논문집
2010 .07
CVD 기술동향
전자공학회지
2001 .08
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