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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 第47卷 SD編 第1號
발행연도
2010.1
수록면
6 - 13 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

기판온도 및 박막두께가 Ga-doped ZnO 박막의 특성에 미치는 영향
조원준 ,  강성준 ,  윤영섭 전자공학회논문지-SD 2010.01 학술저널

2008

Ga-doped ZnO 박막의 기판온도에 따른 구조적, 전기적 및 광학적 특성에 관한 연구
조원준 ,  윤영섭 ,  강성준 대한전자공학회 학술대회 2008.11 학술대회자료

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본 연구에서는 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 Eagle 2000 유리 기판 위에 Ga-doped ZnO (GZO) 박막을 제작하여, 기판온도 100∼400 ℃ 및 박막두께에 따른 박막의 결정화 특성과 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 공정조건에 상관없이 모든 GZO 박막은 c-축 배향성을 나타내는 (002) 회절 피크만이 관찰되었고, 300 ℃에서 400 ㎚ 증착한 GZO 박막이 가장 우수한 결정성을 나타내었으며, 그 때의 반가폭 값은 0.4°이었다. 또한, AFM 으로 박막의 표면형상을 분석한 결과 300 ℃에서 400 ㎚ 증착한 박막에서 비교적 입자가 고르고 치밀한 박막이 형성되었다. 전기적 특성은 홀 측정 결과 300 ℃에서 400 ㎚ 증착한 박막에서 가장 낮은 비저항 (8.01×10<SUP>-4</SUP> Ω㎝)과 가장 높은 전자 캐리어농도 (3.59×10<SUP>20</SUP> ㎝<SUP>-3</SUP>) 를 나타내었다. 모든 GZO 박막은 공정조건에 무관하게 가시광 영역에서 80 %의 투과율을 나타내었으며, 기판온도 및 박막두께 증가에 따른 Ga 도핑효과의 증가로 밴드 갭이 넓어지는 Burstein-Moss 효과가 관찰되었다.
#Ga-doped ZnO #RF Sputtering #Resistivity #Carrier Concentration #Transmittance

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-569-001819082