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대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 대한전기학회 제37회 하계학술대회 논문집 C
발행연도
2006.7
수록면
1,303 - 1,304 (2page)

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본 연구에서는 ICP-CVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)를 이용해 미세결정 실리콘 (nanocrystalline silicon thin film transistor, ns-Si TFT) 초기 성장 단계에 발생하는 비정질의 Incubation layer를 줄이기 위한 실험을 수행하였다. ICP-CVD를 사용하여 증착한 Si-rich SiNx, Seed layer 상의 미세결정 실리콘의 성막조건을 알아보고 특성을 평가하였다. 미세결정 실리콘 박막은 Raman Spectroscopy를 이용해 분석하였다. 미세결정 실리콘의 초기 성장 ... 전체 초록 보기

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