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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.7
- 수록면
- 1,277 - 1,278 (2page)
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Amorphous oxide semiconductor InGaZnO₄(IGZO) is a very promising candidate of channel layer in transparent thin film trasisitor(TTFT) because of its high mobility and high transparency in visible light region. Amorphous IGZO films were deposited at room temperature on a fused silica substrate using pulsed laser deposition method. In-situ post a ... 전체 초록 보기
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