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저자정보
신귀수 (전북대학교) 황성원 (전북지방중소기업청) 김근주 (전북대학교)
저널정보
대한기계학회 대한기계학회 춘추학술대회 대한기계학회 2004년도 추계 학술대회 강연 및 발표 논문집
발행연도
2004.10
수록면
26 - 32 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2005

GaN 증착용 사파이어 웨이퍼의 표면가공에 따른 압흔 특성
신귀수 ,  황성원 ,  김근주 대한기계학회 논문집 A권 2005.04 학술저널

2004

GaN 증착용 사파이어 웨이퍼의 표면가공에 따른 압흔 특성
신귀수 ,  황성원 ,  김근주 대한기계학회 춘추학술대회 2004.10 학술대회자료

초록· 키워드

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This study deals with the indentation and thermal effect characteristics of sapphire wafers after lapping process. The sapphire wafer was used for the thin film growth of GaN semiconductor even though there are large mismatches of lattice constants and coefficient of thermal expansions between them. The mechanically induced stress and strain at the wafer surface is a very complicated process due to the hardness of sapphire crystal structure. This mechanical stress and strain can be cured by thermal annealing process. The sapphire wafers were annealed at 800~1400℃ and then characterized by double crystal X-ray diffraction. The fracture mechanical property of the sapphire wafer was investigated by the indentation measurement. Sapphire wafer was recrystallized from α-Al₂O₃ phase to β-Al₂O₃ phase by heat treatment for 4 hours under N₂ gas environment at the temperature of 1200℃.
#Blue-LED Sapphire Wafer(사파이어웨이퍼) #Thermal Annealing(열처리) #Indentation(파괴인성) #Recrystallize(재결정) #FWHM(반치폭)

목차

Abstract
1. 서론
2. 연마 특성
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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