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논문 기본 정보

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Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 제22권 제2호
발행연도
2005.2
수록면
46 - 52 (7page)

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The sapphire wafer was polished by the implementation of the surface machining technology based on nano-tribology. The removal process has been performed by grinding, lapping and chemical-mechanical polishing. For the chemical mechanical polishing process, the chemical reaction between the slurry and sapphire wafer was investigated in terms of the change of Zeta-potential between two materials. The Zeta-potential was -4.98 ㎷ without the slurry in deionized water and was -37.05 ㎷ for the slurry solution. By including the slurry into the deionized water the Zeta-potential -29.73 ㎷, indicating that the surface atoms of sapphire become more repulsive to be easy to separate. The average roughness of the polished surface of sapphire wafer was ranged to 1-4Å.
#Blue-LED sapphire wafer(청색 광소자 사파이어웨이퍼) #Full width at half maximum(반치폭) #CMP(화학기계적연마) #Zeta-potential(표면전위) #Slurry(스러리)

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 폴리싱 공정
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

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