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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 1,033 - 1,036 (4page)
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This paper presents a detailed study of the retention characteristics in scaled SONOS charge trapping flash memories. By calculating the oxide field and tunneling currents, we evaluated charge retention characteristics. We calculated transient retention dynamics with the ONO fields, trapped charge, and tunneling currents. All the parameters were obtained by physics-based equations and without any fitting parameters or optimization steps. The results can be used with nano-scale nonvolatile memory in deciding scaling down limits. This modeling accounts for the V<SUB>T</SUB> shift as a function of quantity of trapped charge, time, and thickness of silicon oxide and silicon nitride layers, and can be used for optimizing the ONO geometry and parameters for maximum performance.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Retention Model
3. Retention Simulation Results
4. Conclusion
Acknowledgements
References
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