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학술저널
저자정보
이행수 (울산과학대학) 김경호 (울과학기술대학교) 좌성훈 (서울과학기술대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.29 No.5
발행연도
2012.5
수록면
563 - 571 (9page)

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In 3D integration package using TSV technology, bonding is the core technology for stacking and interconnecting the chips or wafers. During bonding process, however, warpage and high stress are introduced, and will lead to the misalignment problem between two chips being bonded and failure of the chips. In this paper, a finite element approach is used to predict the warpages and stresses during the bonding process. In particular, in-plane deformation which directly affects the bonding misalignment is closely analyzed. Three types of bonding technology, which are Sn-Ag solder bonding, Cu-Cu direct bonding and SiO2 direct bonding, are compared. Numerical analysis indicates that warpage and stress are accumulated and become larger for each bonding step. Inplane deformation is much larger than out-of-plane deformation during bonding process. Cu-Cu bonding shows the largest warpage, while SiO2 direct bonding shows the smallest warpage. For stress, Sn-Ag solder bonding shows the largest stress, while Cu-Cu bonding shows the smallest. The stress is mainly concentrated at the interface between the via hole and silicon chip or via hole and bonding area. Misalignment induced during Cu-Cu and Sn-Ag solder bonding is equal to or larger than the size of via diameter, therefore should be reduced by lowering bonding temperature and proper selection of package materials.
#TSV (관통 실리콘 비아) #3D Package (3차원 패키지) #Warpage (휨 현상) #Finite Element Analysis (유한요소해석) #Bonding Process (접합 공정)

목차

기호설명
1. 서론
2. 해석모델 및 조건
3. 공정 해석 결과
4. 결론
후기
참고문헌

참고문헌 (1)

참고문헌 신청
유세훈, 고영기, 신의선, 이창우. TSV 충진 및 3D 패키징 솔더 범핑 기술. Journal of the Korean Society for Precision Engineering. 2009 dbpia

이 논문의 저자 정보

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