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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
정학기
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제12권 제3호
발행연도
2008.3
수록면
541 - 546 (6page)

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목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 이중구조 MOSFET의 이론적 배경
Ⅲ. 서브문턱스윙분석
Ⅳ. 파라미터변화에 따른 전도중심변화
Ⅴ. 참고문헌
참고문헌

참고문헌 (7)

참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - B.Yu / 2002 / FinFET Scaling to 10nm Gate Length / IEDM google schola 2. [학술지(정기간행물)] - X.Huang / 2001 / Sub-50nm P-Channel FinFET / IEEE Trans. Electron Devices 48 (5) google schola 3. [학술대회논문] - H.R.Huff / 2003 / The Ultimate CMOS Device:A 2003 Perspective / the 2003 International Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology : 1 ~ 16 google schola 4. [학술대회논문] - F.L.Yang / 2002 / 25nm CMOS Omega FETs / IEDM : 255 ~ 258 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - H.K.Jung / 2006 / Analysis of Subthreshold Carrier Transport for Ultimate Double Gate MOSFET / IEEE Trans. Electron Devicesm 53 (4) google schola

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