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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제12호
발행연도
2005.12
수록면
1 - 8 (8page)

이용수

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2006

0.13㎛ CMOSFET의 차단주파수 및 최대진동주파수 특성 분석
김종혁 ,  이성현 ,  김영욱 대한전자공학회 학술대회 2006.06 학술대회자료

2005

Nano-Scale MOSFET의 게이트길이 종속 차단주파수 추출
김종혁 ,  이용택 ,  최문성 외 2명 전자공학회논문지-SD 2005.12 학술저널
Nano MOSFET의 게이트 길이 종속 최대진동주파수 추출
김종혁 ,  이용택 ,  최문성 외 1명 대한전자공학회 학술대회 2005.11 학술대회자료

초록· 키워드

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본 연구에서는 측정된 S-파라미터로부터 추출된 Nano-scale MOSFET 등가회로 파라미터의 scaling 방정식을 사용하여 차단주파수의 게이트 길이 종속성을 모델화하였다. 모델된 차단주파수는 게이트 길이가 줄어듬에 따라서 크게 증가하다가, 점점 증가율이 크게 감소하는 경향을 보였다. 이는 게이트 길이가 감소함에 따라 내부전달시간은 크게 줄어 들지만, 외부 기생 충전시간은 상대적으로 조금씩 감소하기 때문이다. 이와 같은 새로운 게이트길이 종속 모델은 Nano-scale MOSFET의 RF성능을 최적화시키는 데 큰 도움이 될 것이다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 모델 파라미터 추출

Ⅲ. Gate length 종속 곡선 및 차단주파수 모델링

참고문헌

저자소개

참고문헌 (7)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - N. Camilleri / / Silicon MOSFET's the microwave device techology for the 90's in IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. pp.545-548. 1993. google schola [학술지(정기간행물)] - S. Wind / 1993. / High performance 0.1um CMOS devices with 1.5V power supply : 127 ~ 130 google schola [학술지(정기간행물)] - S. Lee / feb1999. / Effects of pad interconnection parasitics on forword transit time in HBTs 46 (2) : 275 ~ 278 google schola [학술지(정기간행물)] - S. Lee / nov.2005. / An accurate RF extraction method for resistances and inductances of sub-0.1m CMOS transistors 41 (24) google schola [학술지(정기간행물)] - 윤신섭 / 2003년11월. / Nano CMOS 소자 내부 등가회로 파라미터의 바이어스 종속성 연구 26 (2) : 155 ~ 158 google schola

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