Dynamic characteristics for Double Gate MOSFET

고석웅 ,  정학기

한국정보통신학회논문지

2005 .12

1μm 이하의 채널 길이를 가지는 P-MOSFET의 특성 개선에 관한 연구 ( Study on the Improvement of Sub-Micron Channel P-MOSFET )

박영준

전자공학회논문지

1987 .05

차세대 sub-0.1μm급 MOSFET 소자용 고유전율 게이트 박막

황현상

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

스트레스에 의한 핫-전자가 유기된 p-MOSFET 의 게이트 산화 막 두께 변화의 열화 ( 열화 ) 의 특성 분석 ( Degradation Characteristics of Hot-Electron-Induced p-MOSFET`s GateOxide Thickness Variations by Stress )

이용재

전자공학회논문지-A

1994 .01

Gate Oxide Thickness Dependence of Hot Carrier Degradation in n- and p-MOSFET's with NO-nitrided Gate Oxide under DC and AC Stresses

金正圭

전기학회논문지

1998 .03

전력 MOSFET

崔然益

전기의세계

1985 .05

전력 MOSFET용 멀티 게이트 구동 회로 연구

김기현 ,  김형우 ,  이경호 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2017 .07

초고속 동작을 위한 더블 게이트 MOSFET 특성 분석

정학기 ,  김재홍

한국정보통신학회논문지

2003 .04

ONO 박막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate-Dielectrics )

조성천 ,  양광선 ,  박훈수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

드레인 전압변화 스트레스에 의한 P-MOSFET의 열화 특성 ( Degradation Characteristics of p-MOSFET's by Various Drain Voltage stress )

정연식 ,  권상수 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

An Analytical Model for the Effect of Graded Gate Oxide in MOSFET`s

김종식 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

MOSFET에서 Gate Oxide층의 교류 절연파괴 특성

박정구 ,  송정우 ,  고시현 외 4명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .11

Short Channel Effect 극복을 위한 Sub-micron Grooved Gate MOSFET

홍재희 ,  이종원 ,  손상희

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

게이트와 n￣ 소스/드레인 중첩구조를 갖는 n 채널 MOSFET의 핫캐리어 주입에 의한 열화특성 ( Degradation Characteristics by Hot Carrier Injection of n ￣ channel MOSFET with Gate - n￣ S/D Overlapped Structure )

이대우 ,  이우일

전자공학회논문지-A

1993 .02

게이트전압에 따른 나노구조 이중게이트 MOSFET의 터널링전류 변화

정학기

한국정보통신학회논문지

2007 .05

P-채널 MOSFET에서 게이트와 기판 전류의 시간에 따른 복원 특성

조상운 ,  장원수 ,  배지철 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

전력 MOSFET 소자의 γ선 영향

손주형 ,  김재환 ,  노영환

제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집

2004 .11

I 형 게이트 내방사선 n-MOSFET 구조 설계 및 특성분석

이민웅 ,  조성익 ,  이남호 외 2명

한국정보통신학회논문지

2016 .10

재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )

양광선 ,  박훈수 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1991 .09

시뮬레이션을 통한 MOSFET 산화막 내부트랩의 영향 비교분석

이현슬 ,  유성원 ,  서영수 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06