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학술대회자료
저자정보
이순철 (성균관대학교) 김소영 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2013년도 대한전자공학회 추계종합학술대회
발행연도
2013.11
수록면
86 - 89 (4page)

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Among the parasitic components of MOSFET transistors, the gate resistance affects high frequency performance metrics such as cut-off frequency, maximum frequency of oscillation, and time response. To obtain gate resistance, Y-parameter analysis is used in 3-D device simulator. This paper proposes a compact gate resistance model for FinFET. The proposed model achieves less than 6 percent error compared to 3-D device simulation results and this method can be applied to other multi-gate transistor structure.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌

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