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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최성식 (성균관대학교) 권기원 (성균관대학교) 김소영 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제51권 7호
발행연도
2014.7
수록면
71 - 81 (11page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2014

Tri-gate FinFET의 fin 및 소스/드레인 구조 변화에 따른 소자 성능 분석
최성식 ,  권기원 ,  김소영 전자공학회논문지 2014.07 학술저널
Tri-gate FinFET의 fin 및 소스/드레인 구조 변화에 따른 회로 성능 분석
최성식 반도체디스플레이공 2014.01 학위논문

초록· 키워드

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본 논문에서는 삼차원 소자 시뮬레이터(Sentaurus)를 이용하여 tri-gate FinFET의 fin과 소스/드레인 구조의 변화에 따른 소자의 성능을 분석하였다. Fin의 구조가 사각형 구조에서 삼각형 구조로 변함에 따라, fin 단면의 전위 분포의 차이로 문턱전압이 늘어나고, off-current가 72.23% 감소하고 gate 커패시턴스는 16.01% 감소하였다. 소스/드레인 epitaxy(epi) 구조 변화에 따른 성능을 분석하기 위해, epi를 fin 위에 성장시킨 경우(grown-on-fin)와 fin을 etch 시키고 성장시킨 경우(etched-fin)의 소자 성능을 비교했다. Fin과 소스/드레인 구조의 변화가 회로에 미치는 영향을 살펴보기 위해 Sentaurus의 mixed-mode 시뮬레이션 기능을 사용하여 3단 ring oscillator를 구현하여 시뮬레이션 하였고, energy-delay product를 계산하여 비교하였다. 삼각형 fin에 etched 소스/드레인 epi 구조의 소자가 가장 작은 ring oscillator delay와 energy-delay product을 보였다.
#FinFET #triangular-shaped fin #rectangular-shaped fin #epitaxy #stress #ring oscillator

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Fin의 구조에 따른 회로 성능 분석
Ⅲ. 소스/드레인 epi의 구조에 따른 회로 성능 분석
Ⅳ. 각 구조에 대한 회로 성능 분석
Ⅴ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (21)

참고문헌 신청
1. [기타자료] - / 2011 / The International Technology Roadmap for Semiconductors(ITRS) google schola 2. [학술지(정기간행물)] - 김지현 / 2008 / 이차원 양자 효과를 고려한 극미세 Double-Gate MOSFET 특성 분석 / 전자공학회논문지 - SD 45 (10) : 15 ~ 22 dbpia 3. [학술대회논문] - K. W. Lee / 2012 / Comparative study of analog performance of multiple fin tri-gate FinFETs / International Conference on Electronics, Information and Communication google schola 4. [학술지(정기간행물)] - 이치우 / 2006 / 나노 스케일 MuGFET의 소자 구조 최적화에 관한 연구 / 전자공학회논문지 - SD 43 (4) : 23 ~ 30 dbpia 5. [학술지(정기간행물)] - 노석순 / 2013 / 3D Device simulator를 사용한 공정과 Layout에 따른 FinFET 아날로그 특성 연구 / 전자공학회논문지 50 (4) : 35 ~ 42 dbpia

이 논문의 저자 정보

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