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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
이순철 (성균관대학교) 권기원 (성균관대학교) 김소영 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제51권 8호
발행연도
2014.8
수록면
30 - 37 (8page)

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본 논문에서는 실제 공정을 반영한 FinFET의 게이트 저항 압축모델을 개발하였다. 삼차원 소자 시뮬레이터 Sentaurus를 사용하여, Y-parameter 해석 방법을 적용하여 게이트 저항을 추출하여 제안하는 모델을 검증하였다. FinFET 게이트의 전기장이 수평·수직 방향으로 형성됨을 고려하여 모델링함으로써, FinFET 게이트 저항의 비선형성을 반영하였다. 현재 제작되고 있는 FinFET에서 게이트가 두 물질(Tungsten, TiN)로 적층된 구조일 수 있음을 고려하여, 비저항이 서로 다른 물질을 적층 시킨 구조에 대한 압축 모델을 개발하였다. 제안하는 모델을 사용하여, 게이트의 기하학적 구조 변수 변화에 따른 게이트 저항이 최소가 되는 fin의 수를 제안하였다. BSIM-CMG에 제안하는 모델을 구현한 후, ring-oscillator를 설계하고, 게이트 저항이 고려되지 않았을 때와 고려되었을 때의 각단의 신호지연을 회로 시뮬레이터를 통해 비교하였다.
#FinFET #압축모델 #ring oscillator #신호지연

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 게이트 구조 및 Y-parameter Analysis를 이용한 저항 추출
Ⅲ. 실제 공정을 고려한 FinFET Gate 저항 모델링 및 검증, 분석
Ⅳ. Gate Resistance를 고려한 delay 분석
Ⅴ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (13)

참고문헌 신청
1. [기타자료] - / 2011 / BSIM4v4.7 MOSFET Model User’s Manual google schola 2. [기타자료] - / 2009 / PSP 103.1 Reference Manual google schola 3. [학술대회논문] - K. W. Lee / 2012 / Comparative study of analog performance of multiple fin tri-gate FinFETs / International Conference on Electronics, Information and Communication google schola 4. [학술지(정기간행물)] - W. Yang / 2005 / On the feasibility of nanoscale triple gate CMOS transistors / IEEE Trans. Electron Devices 52 (6) : 1159 ~ 1164 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - 노석순 / 2013 / 3D Device simulator를 사용한 공정과 Layout에 따른 FinFET 아날로그 특성 연구 / 전자공학회논문지 50 (4) : 35 ~ 42 dbpia

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