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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.12
- 수록면
- 25 - 30 (6page)
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나노크기 MOSFET 공정에서 회로의 신뢰도에 영향을 미치는 음 바이어스 온도 불안정성(NBTI), 핫 캐리어 주입(HCI), 시간 의존 유전체 파손(TDDB) 등과 같은 노화 현상들에 의해서 회로 성능의 심각한 저하를 가져올 수 있다. 그러므로, 본 논문에서는 디지털회로에서 발생할 수 있는 노화를 극복할 수 있는 적응형 보상 회로를 제안하고자 한다. 제안된 보상회로는 노화에 의해 감소하는 회로 성능을 적응적으로 보상해 주기 위해서 노화 정도에 따라 파워스위치 폭을 조절할 수 있고, 순방향 바디 바이어싱 전압을 걸어줄 수 있는 파워 게이팅 구조를 사용하여서 45nm의 공정기술에서 설계되었다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. MOSFET 디지털 회로의 노화 현상
3. 제안된 적응형 보상 회로
4. 시뮬레이션 결과
5. 결론
References
참고문헌 (9)
참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - J. Keane / 2009 / An all-in-one silicon odometer for separately monitoring HCI, BTI, and TDDB / Proc. IEEE VLSI Circuits Conf. : 108 ~ 109
2. [학술지(정기간행물)] - 김연보 / 2012 / The Impact of TDDB Failure on Nanoscale CMOS Digital Circuits / 한국산업정보학회논문지 17 (3) : 27 ~ 34
3. [학술지(정기간행물)] - 김경기 / 2013 / Analysis of Electromigration in Nanoscale CMOS Circuits / 한국산업정보학회논문지 18 (1) : 19 ~ 24
5. [학술지(정기간행물)] - Kyung Ki Kim / 2010 / On-chip Aging Sensor Circuits for Reliable Nanometer MOSFET Digital Circuits / Circuits and Systems II: Express Briefs, IEEE Transactions 57 (1) : 798 ~ 902
6. [학술대회논문] - Kyung Ki Kim / 2010 / Adaptive HCI-aware power gating structure / Quality Electronic Design (ISQED), 2010 11th International Symposium : 219 ~ 224
2. [학술지(정기간행물)] - 김연보 / 2012 / The Impact of TDDB Failure on Nanoscale CMOS Digital Circuits / 한국산업정보학회논문지 17 (3) : 27 ~ 34
3. [학술지(정기간행물)] - 김경기 / 2013 / Analysis of Electromigration in Nanoscale CMOS Circuits / 한국산업정보학회논문지 18 (1) : 19 ~ 24
5. [학술지(정기간행물)] - Kyung Ki Kim / 2010 / On-chip Aging Sensor Circuits for Reliable Nanometer MOSFET Digital Circuits / Circuits and Systems II: Express Briefs, IEEE Transactions 57 (1) : 798 ~ 902
6. [학술대회논문] - Kyung Ki Kim / 2010 / Adaptive HCI-aware power gating structure / Quality Electronic Design (ISQED), 2010 11th International Symposium : 219 ~ 224
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