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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1993.11
- 수록면
- 467 - 470 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
1994
고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n - p 다이오드 특성 분석 ( The Formation of the Shallow Junction by RTD Characteristic Analysis for n - p Diode with Ti - silicide )
최도영
,
이성욱
,
주정규
외 3명
전자공학회논문지-A
1994.08
학술저널
고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n+ - p 다이오드 특성 분석
최도영
,
이성욱
,
주정규
외 3명
한국진공학회 학술발표회초록집
1994.02
학술대회자료
고체 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화된 n+ -P 다이오드 특성 분석
최도영
,
이성욱
,
주정규
외 3명
대한전자공학회 학술대회
1994.01
학술대회자료
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고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n - p 다이오드 특성 분석 ( The Formation of the Shallow Junction by RTD Characteristic Analysis for n - p Diode with Ti - silicide )
전자공학회논문지-A
1994 .08
-
Ti-실리사이드 형성에 관한 연구 ( A Study on the Ti-Silicide Formation )
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
-
Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 p+ - n 극저접합의 형성 ( Formation of p+ - n Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )
전자공학회논문지-D
1998 .05
-
Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+ -N 극저접합의 형성 ( Formation of P-N Ultra Shallow Junction with The Co / Ti Bilayer Silicide Contact )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
-
Co / Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P＋－N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성 ( Fabrication and Electrical Characteristics P＋－N Ultra Shallow Junction with Co/Ti Bilayer Silicide Contact )
대한전자공학회 학술대회
1997 .07
-
급속 열처리 방식에 의한 Ti-실리사이드의 형성 연구 ( Formation of Ti-silicides by Rapid Thermal Annealing )
전자공학회논문지-A
1996 .08
-
급속열처리에 의한 Ti-실리사이드와 접합의 동시형성에 관한 연구 ( A Study on the Simultaneous Formation of a Ti-Silicide and a Junction by the RTA Process )
전자공학회논문지-A
1991 .03
-
고체 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화된 n+ -P 다이오드 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
-
고속열확산에 의한 얕은접합 형성과 Ti- 실리사이드화 된 n+-p 다이오드 특성분석
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
-
Co/Ti 이중막 실리사이드 접촉을 갖는 P+-N 극저접합 다이오드의 제작과 전기적특성
대한전자공학회 학술대회
1997 .06
-
Co 및 Co/Ti 이중막에 의해 형성된 Co-실리사이드의 열적 불안정성 ( Thermal Instability of Co-silicides formed by Co and Co/Ti Bilayer )
전자공학회논문지-A
1996 .11
-
역전법을 응용한 실리사이드화된 매우 얇은 접합의 형성 ( Formation of Silicided Ultra-Shallow Junction employing Layer Reversal Method )
전자공학회논문지-A
1996 .08
-
Ti-실리사이트 형성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1987 .07
-
Co 단일막과 Co/Ti 이중막을 이용한 Co-실리사이드의 형성 연구
한국재료학회지
1996 .01
-
Shallow P n Junction Formation by the Epi-Co Silicide Formed using Co / Ti Bilayer
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
에피 코발트 실리사이드막으로 부터의 붕소 확산을 이용한 극저층 p+n 접합 형성 ( Ultra Shallow p+n Junction Formation Using the Boron Diffusion from Epi-Co Silicide )
전자공학회논문지-A
1996 .07
-
고속열확산을 이용한 인확산 접합의 특성 분석과 다이오드 제작 ( Analyzing of Rapid Thermal Diffusion of Phosphorus and the Diode Fabrication )
대한전자공학회 학술대회
1992 .11
-
Ti-실리사이드 전계방출소자의 제작 및 전기적 특성 평가 ( Fabrication and Emission Characteristics of the Ti-Silicided Field Emitter Arrays )
대한전자공학회 학술대회
1997 .07
-
Ti-실리사이드 전계방출소자의 제작 및 전기적 특성 평가
대한전자공학회 학술대회
1997 .06
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Co/Ti 이중막 실리사이드를 이용한 $p^{+}$-n극저접합 다이오드의 제작과 전기적 특성
한국재료학회지
1998 .01
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