질화와 재산화 조건에 따른 모스 소자의 전기적 특성변화

이정석 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 I-V 특성 ( I-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )

손문회 ,  양광선 ,  박훈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 C-V 특성 ( C-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )

양광선 ,  박훈수 ,  김봉열 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

Nitridation and Reoxidation of SiO2 for Ultra thin Dielectric

Jung Suk Lee ,  Chang dug Jang ,  Young Jae Lee

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

1998 .01

질화 , 재산화된 MOS 소자의 시간종속 절연항복 특성 ( Time-Dependent Dielecric Breakdown of Nitreded , Reoxided MOS Devices )

이정석 ,  장창덕 ,  이용재

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

ECR 플라즈마 질화에 의해 형성된 실리콘 질화막의 전기적 특성 ( Electrical Properties of Silicon Nitride Formed by ECR Plasma Nitridation )

구본영 ,  전유찬 ,  주승기

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

플라즈마 실리콘 질화막의 전기적 특성에 관한 연구

주현성 ,  주승기

한국표면공학회지

1989 .12

플라즈마 이온질화 공정온도에 따른 스테인리스강 질화층의 표면 특성

임경민 ,  김혜민 ,  이승효 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2012 .11

질화처리의 기초와 질화계처리

이준연

열처리공학회지

2008 .01

MOCVD법에 의한 GaN에 미치는 사파이어($Al_{2}$$O_{3}$) 질화 처리 효과

정재식 ,  변동진 ,  김병호 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

상온 플라즈마 질화막을 이용한 새로운 부분산화공정의 물성 및 전기적 특성에 관한 연구 ( Study on the Material and Electrical Characteristics of the New Semi-Recessed LOCOS by Room Temperature Plasma Nitridation )

이병일 ,  주승기

전자공학회논문지

1989 .04

실리콘 산화막의 열적질화와 그 MOS특성에 미치는 영향

이정희 ,  이종현 ,  손병기

대한전자공학회 학술대회

1983 .01

SiO2박막의 열적 질화 ( Thermal Nitridation of Thin SiO2 Film )

이용수 ,  이용현 ,  손병기

전자공학회논문지

1988 .11

REOXIDATION법을 이용한 Si WAFER의 HOLE TRAP의 제거

홍순관 ,  주병권 ,  김철주

대한전기학회 학술대회 논문집

1987 .07

REOXIDATION법을 이용한 Si WAFER의 HOLE TRAP의 제거 ( Elimination of Hole Traps on Si Wafer Using Reoxidation Method )

홍순관 ,  주병권 ,  김철주

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

고주파 유도 가열에 의한 Si의 열적질화 ( Thermal Nitridation of Si by RF Induction Heating )

이용현 ,  왕진석

전자공학회논문지

1990 .09