비대칭 소오스 / 드레인을 갖는 NMOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of NMOSFET's with Asymmetric Source / Drain Region )

공동욱 ,  이재성 ,  이용현

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

Hot Electron에 의한 NMOSFET의 드레인 출력저항 특성 ( The Characteristics of NMOSFET Drain Output Resistance Due to Hot Electron )

김미란 ,  박종태

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

Hot electron 효과로 노쇠화된 NMOSFET의 드레인 출력저항 특성 ( The Characteristics of Degraded Drain Output Resistance of NMOSFET due to Hot Electron Effects )

김미란 ,  박종태

전자공학회논문지-A

1993 .09

긴 채널 NMOSFET에 대한 통합 전류-전압 ( A Unified Current-Voltage Model for Long Channel NMOSFET's )

박찬광 ,  이창열 ,  이귀로 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

재결정화된 다결정 nMOSFET의 제작 및 그 전기적 특성 ( Fabrication of the Recrystallized Poly Silicon nMOSFET and Its Electrical Characteristics )

김주영 ,  강문상 ,  김기홍 외 2명

전자공학회논문지-A

1992 .11

δ - 도핑 NMOSFET 채널 내에서의 양자화 효과

문현기 ,  김현중 ,  이찬호

대한전자공학회 학술대회

2001 .06

실리콘 선택적 결정 성장 공정을 이용한 Elevated Source/drain을 갖는 NMOSFETs 소자의 특성 연구

金營臣 ,  李起岩 ,  朴政浩

전기학회논문지 C

2002 .03

NMOSFET에서 핫-캐리어 내성의 소자 개발

김현호 ,  김현기 ,  우경환 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2002 .06

RTO 성장과 0.15mm NMOSFET에의 적용 ( Application of Ultra-Thin Rapid Thermal Oxide to 0.15mm NMOSFET )

허연철 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 워크샵

1996 .01

인듐을 채널 도펀트로 사용한 0.1μm nMOSFET에 관한 연구 ( A Study on 0.1μm nMOSFETs with Indium Implanted Channel )

송기환 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

인듐을 채널 도펀트로 사용한 0.1㎛ nMOSFET에 관한 연구

송기환 ,  유태종 ,  박병국 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

Hydrodynamic 방정식을 이용한 짧은 채널 Nmosfet의 풀이 방법 ( A Numerical Simulation on the Short Channel nMOSFET using Hydrodynamic Equations )

이창열 ,  이귀로

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

온도 증가에 따른 nMOSFET의 Hot carrier effect 변화

원명규 ,  김도형 ,  안철

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

온도 증가에 따른 nMOSFET의 Hot carrier effect 변화 ( Hot carrier effect of nMOSFET's at elevated temperatures )

원명규 ,  김도형 ,  안철

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

NMOSFET의 반전층 양자 효과에 관한 연구

朴志宣 ,  申炯淳

전기학회논문지 C

2002 .09

Metal Plasma-Etching Damages of NMOSFETs with Pure and N₂O Gate Oxides

Jae-Seog Yoon ,  Chang-Wu Hu

한국정보통신학회논문지

1999 .06

불규칙한 소오스/드레인 금속 접촉을 갖는 비대칭 n-MOSFET의 전기적 특성 및 모델

공동욱 ,  정환희 ,  이재성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1999 .11

격자 온도를 고려한 SOI NMOSFET의 전기적 특성에 관한 연구 ( A Study of Electrical Properties of SOI NMOSFET`s under Nonisothermal Lattice Temperature )

김진양 ,  박영준

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

0.1㎛ 레벨 NMOSFET의 Hot Carrier현상과 소자 열화 ( Hot Carrier Induced Device Degradation of 0.1㎛ NMOSFET )

이재기 ,  홍성희

한국통신학회 전문대학 논문지

1997 .01

NMOSFET에서 LDD 영역의 전자 이동도 해석 ( Analysis of Electron Mobility in LDD Region of NMOSFET )

이상기 ,  황현상 ,  안재경 외 4명

전자공학회논문지-A

1996 .10