Carrier 의 속도포화에 따른 LDD NMOSFET의 Saturated Transconductance 감소 기구 ( Degradation Mechanism of Saturated Transconductance in LDD NMOSFET due to the Velocity Saturation of the Carrier )

이명복 ,  이정일 ,  강광남

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

서브마이크론 LDD NMOSFET의 핫캐리어 열화에 의한 유효채널길이의 증가

이준표 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

서브마이크론 LDD NMOSFET의 핫캐리어 열화에 의한 유효채널길이의 증가 ( The Increase of the Effective Channel Length by the Hot-Carrier Degradation in Submicron LDD NMOSFETs )

이준표 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

NMOSFET에서 LDD 영역의 전자 이동도 해석 ( Analysis of Electron Mobility in LDD Region of NMOSFET )

이상기 ,  황현상 ,  안재경 외 4명

전자공학회논문지-A

1996 .10

Time Dependent Hot-Carrier-Induced Interface State Generation in Deep Submicron LDD NMOSFETs

김시호 ,  이귀로

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

짧은 채널 LDD ( Lightly Doped Drain ) NMOSFET의 포화영역 Transconductance 감소 ( Reduction of Transconductance in Saturation Region of Short Channel LDD ( Lightly Doped Drain ) NMOSFETs )

이명복 ,  이정일 ,  강광남

전자공학회논문지

1990 .01

LDD NMOSFET에서 Hot Carrier 열화시 Device Lifetime에 관한 연구

고정욱 ,  김재영 ,  강문상 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

LDD NMOSFET에서의 Hot-Carrier Trap에 의한 Series Resistance의 증가에 관한 연구

신덕준 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

LDD NMOSFET 에서의 Hot-Carrier Trap에 의한 Series Resistance의 증가에 관한 연구 ( A Study on The Increase of Series Resistance Due To Hot-carrier Trap in LDD NMOSFET )

신덕준 ,  김재영 ,  강문상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

Retrograde Boron 채널 LDD 구조의 0.1μm nMOSFET 소자 제작 ( Fabrication of 0.1μm Nmosfet's using Retrograde Boron Channel LDD Structure )

최영진 ,  박병국 ,  이종덕 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1995 .11

Retrograde Boron 채널 LDD 구조의 0.1㎛ nMOSFET 소자 제작

최영진 ,  박병국 ,  이종덕

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

PSG 막의 급속열처리 방법을 이용한 LDD - Nmosfet 의 구조 제작에 관한 연구 ( A Study on the Structure Fabrication of LDD - Nmosfet using Rapid Thermal Annealing Method of PSG Film )

류장열 ,  홍봉식

전자공학회논문지-A

1994 .12

LDD NMOSFET의 Hot-Carrier로 인한 전류열화 특성의 Analytic Model

구정석 ,  김영관 ,  권호엽 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

LDD NMOSFET에서 Hot Carrier 열화시 Device Lifetime에 관한 연구

고정욱 ,  김재영 ,  강문상 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

Efficient Semi-Empirical I-V Model for Submicron LDD MOS Transistor

L. M. Chua ,  P. C. Liu

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1993 .01

Hot Electron에 의한 LDD NMOS의 노쇠화 메커니즘 ( Hot Electron Induced the Degradation Mechanism of Ldd NMOSFET )

김덕기 ,  박현진 ,  김용택 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

Modeling of Subthreshold Current for Submicron LDD MOS Transistor

Ley Mui Chua ,  Po Ching Liu

JTC-CSCC : Joint Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

1993 .01

TEMPERATURE DEPENDENCE OF THRESHOLD VOLTAGE FOR SUBMICRON P-AND N-CHANNEL LDD MOSFET DEVICES

Seog-Ju Oh

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

1993 .08

Hot Electron에 의한 LDD NMOS의 노쇠화 메카니즘

김덕기 ,  박현진 ,  김용택 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

LDD-nMOSFET의 핫 캐리어 열화 억제를 위한 표면 이온주입 효과에 대한 연구

서용진 ,  안태현 ,  김상용 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .11