산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석

정회환 ,  김동식 ,  정관수

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

산화 분위기에 따른 게이트 산화막의 전기적 특성 분석 ( An Analysis of Electrical Characteristics of Gate Oxides by Oxidation Ambience )

정회환 ,  김동식 ,  정관수

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

The Influence of Ion Implantation Damage on the Off-State Leakage Characteristics of n-MOSDETs with Ultrathin Oxide, Nitrided-Oxide and Re-Oxidized Nitrided-Oxide Gate Dielectrics

S. Fleische ,  P. T. Lai ,  Y. C. Cheng

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1993 .01

저압가스질화에서 탄소강의 초기 화합물층 형성 거동

김윤기 ,  김상권

한국표면공학회지

2011 .06

산화막과 질화막 위에 제작된 3D SONOS 다층 구조 플래시 메모리소자의 1/f 잡음 특성 분석

이상율 ,  이가원 ,  양승동 외 4명

전기전자재료학회논문지

2012 .01

열처리 전후의 질화막에 대한 습식산화의 효과

윤병문 ,  최덕균

한국재료학회 학술발표대회

1993 .01

플래시 EEPROM 셀에서 ONON ( oxide-nitride-oxide-nitride ) Inter-Poly 유전체막의 신뢰성 연구 ( Study of the Reliability Characteristics of the ONON ( oxide-nitride-oxide-nitride ) Inter-Poly Dielectrics in the Flash EEPROM cells )

신봉조 ,  박근형

전자공학회논문지-D

1999 .10

질소 주입에 따른 게이트 산화막의 특성에 미치는 영향

정승주 ,  곽계달

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .07

도핑한 산화막 및 질화막의 확산특성 ( Diffusion Characterization of Doped Oxide and Nitride Film )

이종덕 ,  김원찬 ,  민홍식 외 1명

전자공학회지

1985 .03

Wet or Dry 방식에 따른 극박 게이트 산화막의 전기적 특성 및 저온 Post anneal 효과의 평가

조원주 ,  정종완 ,  김응수

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

Wet or Dry 방식에 따른 극박 게이트 산화막의 전기적 특성 및 저온 Post Anneal 효과의 평가 ( Electrical Properties of Thin Gate Oxide Grown in Wet or Dry Ambient , and Effects of Low Temperature Post Anneal )

조원주 ,  정종완 ,  김용수

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

MONOS 플래시 메모리의 Nitride 트랩 분석

양승동 ,  윤호진 ,  김유미 외 5명

전자공학회논문지

2015 .08

포스트 플라즈마를 이용한 질화의 질화층 형성에 미치는 전처리의 영향에 대한 연구

문경일 ,  변상모 ,  조용기 외 2명

열처리공학회지

2005 .01

기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 C-V 특성 ( C-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )

양광선 ,  박훈수 ,  김봉열 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

기억 소자 응용을 위한 재산화된 산화 질화막의 I-V 특성 ( I-V Characteristics of the Reoxided Nitrided Oxides for the Application of Memory Devices )

손문회 ,  양광선 ,  박훈수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

CHARACTERISTICS OF STACKED OXIDE-NITRIDE-OXIDE FILMS FOR HIGH DENSITY DRAM CELL CAPACITOR

S. H. Choi ,  J. S. Choi ,  S. T. Kim 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )

양광선 ,  박훈수 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1991 .09

재산화된 질화 산화막의 전하 포획 특성 연구 ( A Study on the Charge Trapping Properties of ONO ( Oxide Nitride Oxide ) Dielectric Film )

이종순 ,  윤석범 ,  박광균 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

CHARACTERIZATION OF OXIDES FORMED ON SILICON NITRIDE SURFACES DURING HIGH TEMPERATURE FRICTION TESTS

Kazuyuki MIZUHARA

한국표면공학회 학술발표회 초록집

1997 .05