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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.6
- 수록면
- 1,780 - 1,783 (4page)
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DC reactive sputtered a-ZnON thin film transistors were investigated in terms of high mobility and light-induced instability. The origin of improvement of device performance and stability was suggested by increase of highly stable O-Zn-N bonding.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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