핫-캐리어 내성을 갖는 WSW 소자의 신뢰성 평가

김현호; 장인갑

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김현호 장인갑

저널정보: 한국컴퓨터정보학회 한국컴퓨터정보학회논문지 한국컴퓨터정보학회 논문지 제9권 제1호

발행연도: 2004.3

수록면: 9 - 15 (7page)

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본 논문에서는 드레인 부근의 채널 영역에서 접합 전계를 줄이는 WSW(Wrap Side Wall) 구조의 소자를 제안하였다. WSW 구조의 소자 제작은 첫 번째 게이트를 식각한 후에 NM1(N-type Minor1) 이온주입을 하고 다시 질화막을 덮어 식각함으로서 만들어진다. 새로운 WSW 구조는 전계를 줄이기 위한 버퍼층으로 되어 있으며 WSW 소자와 LDD 구조의 소자 수명을 비교하였으며 핫-캐리어 열화 특성도 분석하였다. 또한 AC 핫-캐리어 열화를 칩 상에서 평가하기 위해 펄스 발생기, 레벨 시프터, 주파수 분배기를 포함한 테스트 패턴 회로를 설계하였다. 이러한 것은 AC와 DC 스트레스간의 핫-캐리어 열화 조건이 AC와 DC 스트레스 모두 동일한 물리적 메커니즘을 지닌다는 것을 알 수 있었다. 따라서 일반적으로 회로 동작 조건 하에서 DC 핫-캐리어 열화 특성을 토대로 AC 소자 수명도 예측할 수 있었다.

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[학술지(정기간행물)] - / 1993. / Hot-Carrier Reliability of MOS VLSI Circuits

[학술지(정기간행물)] - / 1995. / Enhanced Hot-Carrier- Degradation in LDD MOSFET's Under Pulsed Stress 42 : 1600 ~

[학술지(정기간행물)] - / 1991. / Time Dependence of Hot-Carrier Degradation in LDD NMOSFET's 15 : 441 ~

[학술지(정기간행물)] - / 2002. / The MOSFET Hump Characteristics Occurring at STI Channel Edge 11 (-1) : 23 ~

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