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Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and discussion
4. Conclusion
References
저자소개
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Gate Oxide Thickness Dependence of Hot Carrier Degradation in n- and p-MOSFET's with NO-nitrided Gate Oxide under DC and AC Stresses
전기학회논문지
1998 .03
Hot Carrier Degradation of MOSFETs
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1993 .01
Hot-carrier 현상을 이용한 n-MOSFET의 동작수명 측정 ( Measurement of n-MOSFETs Lifetime using Hot-carrier induced Degradation )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
Hot carrier에 의한 GAA MOSFET의 열화현상
대한전자공학회 학술대회
2002 .06
Hot-carrier 효과로 인한 MOSFET의 성능저하 및 동작수명 측정 ( Hot-carrier Induced MOSFET Degradation and its Lifetime Measurement )
전자공학회논문지
1988 .02
게이트와 n ̄ 소스/드레인 중첩구조를 갖는 n 채널 MOSFET의 핫캐리어 주입에 의한 열화특성 ( Degradation Characteristics by Hot Carrier Injection of n  ̄ channel MOSFET with Gate - n ̄ S/D Overlapped Structure )
전자공학회논문지-A
1993 .02
p+ 다결정 실리콘 게이트를 갖는 p채널 MOSFET의 hot carrier 효과 ( Hot carrier effects of PMOSFET with p+ polysilicon gate )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
박막 게이트 산화막의 열화에 의해 나타나는 MOSFET의 특성 변화
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
동작-스트레스에 의한 P-Mosfet에서 핫-캐리어 효과 ( Hot-Carrier Effects in P-MOSFET's by on-Stress )
한국통신학회 학술대회논문집
1994 .01
동작-스트레스에 의한 p-MOSFET에서 핫-캐리어 효과
한국통신학회 학술대회논문집
1994 .07
NO기반 게이트절연막 NMOS의 AC Hot Carrier 특성
전기전자재료학회논문지
2004 .01
Hot Carrier Stress로 인한 SOI MOSFET의 전력 성능 저하
전자공학회논문지-IE
2008 .12
New Experimental Technique for Measuring the Hot-Carrier Gate-Current Noise-Spectrum in Short Channel MOSFET's
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1993 .01
Hot-Carrier 현상을 줄인 새로운 구조의 자기-정렬된 ESD MOSFET의 분석 ( Analysis of a Novel Self-Aligned ESD MOSFET having Reduced Hot-Carrier Effects )
전자공학회논문지-D
1999 .05
MOSFET에서 Gate Oxide층의 교류 절연파괴 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .11
Hot carrier에 의해 열화된 MOSFET에서 Inverse narrow-width 효과 및 기생 다이오드의 생성 ( Inverse Narrow-Width Effect and Parasitic Diode Generation of MOSFET due to Hot Carrier Effects )
대한전자공학회 학술대회
1995 .11
Hot carrier에 의해 열화된 MOSFET에서 Inverse narrow-width 효과 및 기생 다이오드의 생성
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
Sidewall Spacer와 Post Gate Oxidation에 따른 MOSFET 특성 및 Hot Carrier 신뢰성 연구
대한전자공학회 학술대회
1999 .06
스트레스에 의한 핫-전자가 유기된 p-MOSFET 의 게이트 산화 막 두께 변화의 열화 ( 열화 ) 의 특성 분석 ( Degradation Characteristics of Hot-Electron-Induced p-MOSFET`s GateOxide Thickness Variations by Stress )
전자공학회논문지-A
1994 .01
나노 기반 MOSFET 디바이스의 통계적 열화모형에 관한 연구
대한산업공학회 추계학술대회 논문집
2006 .11
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