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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.6
- 발행연도
- 2015.12
- 수록면
- 695 - 702 (8page)
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A 1-V 1.6-GS/s 5.58-ENOB flash ADC with a high-speed time-domain comparator is proposed. The proposed time-domain comparator, which consumes low power, improves the comparison capability in high-speed operations and results in the removal of preamplifiers from the first-stage of the flash ADC. The time interpolation with two factors, implemented using the proposed time-domain comparator array and SR latch array, reduces the area and power consumption. The proposed flash ADC has been implemented using a 65-nm 1-poly 8- metal CMOS process with a 1-V supply voltage. The measured DNL and INL are 0.28 and 0.41 LSB, respectively. The SNDR is measured to be 35.37 dB at the Nyquist frequency. The FoM and chip area of the flash ADC are 0.38 pJ/c-s and 620 × 340 μm², respectively.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. ADC ARCHITECTURE AND CIRCUIT IMPLEMENTATION
III. IMPLEMENTATION AND MEASUREMENT RESULTS
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (11)
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[학술지(정기간행물)] - J.-I. Kim / 2013 / A 6-b 4.1-GS/s Flash ADC With Time-Domain Latch Interpolation in 90-nm CMOS / IEEE J. Solid-State Circuits 48 (6) : 1429 ~ 1441
[학술대회논문] - Y.-S. Shu / 2012 / A 6b 3GS/s 11mW fully dynamic flash ADC in 40nm CMOS with reduced number of comparators / IEEE Symp. VLSI Circuits : 26 ~ 27
[학술대회논문] - V. Hiremath / 2011 / A novel ultra high speed reconfigurable switching encoder for Flash ADC / Proc. The IEEE National Aerospace and Electronics Conference : 320 ~ 323
[학술지(정기간행물)] - H.-Y. Lee / 2012 / A true single-phase clocked flip-flop witch leakage current compensation / IEICE Electronics Express 9 (23) : 1807 ~ 1812
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