지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.2
- 발행연도
- 2016.4
- 수록면
- 210 - 214 (5page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
In this paper, the decrease in the contact resistance of Ni germanide/Ge contact was studied as a function of the thickness of the antimony (Sb) interlayer for high performance Ge MOSFETs. Sb layers with various thickness of 2, 5, 8 and 12 nm were deposited by RF-Magnetron sputter on n-type Ge on Si wafers, followed by in situ deposition of 15nm-thick Ni film. The contact resistance of samples with the Sb interlayer was lower than that of the reference sample without the Sb interlayer. We found that the Sb interlayer can lower the contact resistance of Ni germanide/Ge contact but the reduction of contact resistance becomes saturated as the Sb interlayer thickness increases. The proposed method is useful for high performance n-channel Ge MOSFETs.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
C. Claeyes et al, Germanium-Based Technology: From Materials to Devices, Elsevier, 2007.
M. Koike et al, “Diffusion and activation of n-type dopants in germanium,” J. Appl. Phys., Vol. 104, pp. 023523-1 – 5, 2008.
A. Dimoulas et al, “Fermi-level pinning and charge neutrality level in germanium,” Appl. Phys. Lett., Vol. 89, pp. 052110-1 – 5, 2006.
P. Tsipas et al, “Modeling of negatively charged states at the Ge surface and interfaces,” Appl. Phys. Lett., Vol. 94, pp. 012114-1 – 5, 2009.
M. Li et al, “Improvement of Thermal Stability of Nickel Silicide Using Co-sputtering of Ni and Ti for Nano-Scale CMOS Technology,” J. Semicond. Technol. Sci., Vol. 13, No. 3, pp. 252-258, 2013.
M. Koike et al, “Diffusion and activation of n-type dopants in germanium,” J. Appl. Phys., Vol. 104, pp. 023523-1 – 5, 2008.
A. Dimoulas et al, “Fermi-level pinning and charge neutrality level in germanium,” Appl. Phys. Lett., Vol. 89, pp. 052110-1 – 5, 2006.
P. Tsipas et al, “Modeling of negatively charged states at the Ge surface and interfaces,” Appl. Phys. Lett., Vol. 94, pp. 012114-1 – 5, 2009.
M. Li et al, “Improvement of Thermal Stability of Nickel Silicide Using Co-sputtering of Ni and Ti for Nano-Scale CMOS Technology,” J. Semicond. Technol. Sci., Vol. 13, No. 3, pp. 252-258, 2013.
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
다중준위 상변환 메모리를 위한 Ge2Sb2Te5/Ti/W-Ge8Sb2Te11 구조의 전기적 특성 연구
전기전자재료학회논문지
2022 .01
-
Ge2Sb2Te5/TiN/W-Doped Ge2Sb2Te5 셀 구조의 다중준위 메모리 특성 평가
전기전자재료학회논문지
2024 .01
-
ReRAM응용을 위한 Ge2Sb2Te5와 Ge8Sb2Te11 기반 MIM구조 박막의 전기적 특성 연구
전기전자재료학회논문지
2017 .03
-
비구면렌즈 설계를 위한 칼코게나이드 Ge-Sb-Se 광학계 및 결정화 특성 연구
한국재료학회지
2016 .01
-
PRAM용 Cu-도핑된 Ge8Sb2Te11 박막의 특성
전기전자재료학회논문지
2019 .01
-
A Study on Thermal Stability Improvement in Ni Germanide/p-Ge using Co interlayer for Ge MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2017 .04
-
비정질-결정질 가역적 상변환 소자용 Ge8Sb2Te11 박막의 W 도핑에 따른 상변환 특성 평가
전기전자재료학회논문지
2017 .03
-
Charge Transport and Thermoelectric Properties of Ge-Doped Famatinites Cu3Sb1-yGeyS4
Electronic Materials Letters
2021 .09
-
Effect of Graphene oxide Interlayer on Schottky Barrier Height Reduction of Metal/n-Ge contact
대한전기학회 학술대회 논문집
2021 .10
-
[GE의 혁신 DNA (9편)] GE의 디지털 혁신에서 무엇을 배울 것인가?
자동화기술
2022 .11
-
자기정렬구조를 갖는 칼코겐화물 상변화 메모리 소자의 전기적 특성 및 온도 분포
전기전자재료학회논문지
2019 .01
-
[THEME SERIES]「GE의 혁신 DNA」 (2편) : GE의 디지털 혁신을 어떻게 바라볼 것인가?
자동화기술
2022 .04
-
4차 산업혁명과 GE
기계저널
2018 .05
-
Reducing Contact Resistance Between Ni-InGaAs and n-In0.53Ga0.47As using Sn Interlayer in n-In0.53Ga0.47As MOSFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2018 .06
-
Terbium 중간층 적용을 통한 Ni Germanide/P-type Ge의 비접촉저항 감소 연구
전기전자재료학회논문지
2018 .01
-
칼코게나이드 비구면렌즈 기초설계를 위한 Ge-As-Sb-Se 글래스의 물리적 특성
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2016 .11
-
Fabrication of Sb₂Se₃ thin film solar cells
한국에너지학회 학술발표회
2021 .11
-
Sb가 결핍된 N형 Skutterudite Co4Sb12의 열전 특성
전기전자재료학회논문지
2019 .01
-
Fabrication of Substrate Configured Thin Film Solar Cells Using Solution-Processed Antimony Sulfide as an Absorber Layer
AFORE
2021 .10
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0