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The effects of nanotexturing and post-etching on the reflection and quantum efficiency properties of diamond wire sawn (DWS) multicrystalline silicon (mc-Si) solar cell have been investigated. The chemical solutions, which are acidic etching solution (HF-HNO₃), metal assisted chemical etching (MAC etch) solutions (AgNO₃-HF-DI, HF-H₂O₂-DI) and post-etching solution (diluted KOH at 80℃), were used for micro- and nano-texturing at the surface of diamond wire sawn (DWS) mc-Si wafer. Experiments were performed with various post-etching time conditions in order to determine the optimized etching condition for solar cell. The reflectance of mc-Si wafer texturing with acidic etching solution showed a very high reflectance value of about 30% (w/o anti-reflection coating), which indicates the insufficient light absorption for solar cell. The formation of nano-texture on the surface of mc-Si contributed to the enhancement of light absorption. Also, post-etching time condition of 240 s was found adequate to the nano-texturing of mc-Si due to its high external quantum efficiency of about 30% at short wavelengths and high short circuit current density (J<SUB>sc</SUB>) of 35.4 A/cm².
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (12)
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[기타자료] - / 2016 / ITRPV 2016, International Technology Roadmap for Photovoltaic (ITRPV): Results 2015, Seventh Edition : 2 ~ 19
[학술대회논문] - A. Bidiville / 2009 / Diamond Wire-Sawn Silicon Wafers from the Lab to the Cell Production / Proceedings of 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition : 1297 ~ 1302
[학술지(정기간행물)] - N. Watanabe / 2010 / Characterization of Polycrystalline Silicon Wafers for Solar Cells Sliced with Novel Fixed-Abrasive Wire / Prog. Photovolt : Res. Appl 18 : 485 ~ 490
[학술지(정기간행물)] - N. Kawasegi / 2005 / Etch Stop of Silicon Surface Induced by Tribo-Nanolithography / Nanotechnology 16 : 1411 ~ 1414
[학술지(정기간행물)] - M. Lippold / 2014 / Texturing of SiC-Slurry and Diamond Wire Sawn Silicon Wafers by HF-HNO3-H2SO4 Mixtures / Sol. Energ. Mat. Sol. C 127 : 104 ~ 110
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