Topological Sensitivity Analysis in Structural Dynamic Problems using Adjoint Variable Method

Meisam Takalloozadeh ,  Gil Ho Yoon

대한기계학회 춘추학술대회

2017 .05

전력 MOSFET용 멀티 게이트 구동 회로 연구

김기현 ,  김형우 ,  이경호 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2017 .07

Adjoint Navier-Stokes 방정식에 대한 예조건화 기법 적용

김민수 ,  이승수

한국항공우주학회 학술발표회 초록집

2020 .07

10 nm이하 비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단 게이트 전압에 따른 터널링 전류 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2015 .01

Simultaneous identification of damage in bridge under moving mass by Adjoint variable method

Mi ,  zaee ,  Akba 외 4명

Smart structures and systems

2018 .01

총 이온화 선량 시험에 대한 P 채널 MOSFET의 전기적 특성 변화 연구

최나연 ,  장성욱

한국기계가공학회 춘추계학술대회 논문집

2022 .04

ADJOINT DESIGN OPTIMIZATION FOR THE P2 HYPERSONIC INLET

K. A. Damm ,  R. J. Gollan ,  P. A. Jacobs 외 3명

한국전산유체공학회 학술대회논문집

2018 .05

Advanced two-level CMFD acceleration method for the 3D whole-core high-fi delity neutron adjoint transport calculation

Kaijie Zhu ,  Chen Hao ,  Yunlin Xu

Nuclear Engineering and Technology

2021 .01

채널 폭에 따른 MOSFET 문턱전압 및 전류 변동성에 관한 시뮬레이션 분석

정인영 ,  박찬형

전자공학회논문지

2018 .06

10 nm 이하 비대칭 DGMOSFET의 채널도핑농도에 따른 터널링 전류

정학기

한국정보통신학회논문지

2015 .07

I 형 게이트 내방사선 n-MOSFET 구조 설계 및 특성분석

이민웅 ,  조성익 ,  이남호 외 2명

한국정보통신학회논문지

2016 .10

Vertical GaN Reverse Trench-Gate Power MOSFET and DC-DC Converter

Nilesh Kuma ,  Jaiswal ,  V. N. Ramak 외 1명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2021 .01

Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체 기반 Triple Gate MOSFET과 Gate All Around Nanowire NMOSFET의 성능 비교

문성일 ,  윤석현 ,  김정훈 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

비대칭 DGMOSFET의 상하단 산화막 두께비에 따른 터널링 전류 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2016 .05

비대칭 이중게이트 MOSFET에 대한 DIBL의 채널도핑농도 의존성

정학기

한국정보통신학회논문지

2016 .04

플로팅 아일랜드 구조의 전력 MOSFET의 전기적 특성 분석

강이구

전기전자재료학회논문지

2016 .01

Tapered gate oxide 구조를 갖는 1.2 kV SiC MOSFET(TOX-MOSFET)의 전기적 특성 분석

윤효원 ,  김채윤 ,  박영은 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2022 .10

1200V급 SiC 기반 트렌치 게이트 MOSFET의 전기적 특성에 관한 연구

김유림 ,  이동현 ,  김민서 외 2명

전기전자학회논문지

2023 .03

유도성 기생성분에 의한 드레인전류응답지연을 포함한 SOI MOSFET 고주파모델

김규철

한국전자통신학회 논문지

2018 .10

산업 파워 모듈용 900 V MOSFET 개발

정헌석

전기전자재료학회논문지

2020 .01