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Young In Jang (Kyungpook National University) Sang Hyuk Lee (School of Electronics Engineering) Jae Hwa Seo (Kyungpook National University) Young Jun Yoon (Kyungpook National University) Ra Hee Kwon (Kyungpook National University) Min Su Cho (Kyungpook National University) Bo Gyeong Kim (Kyungpook National University) Gwan Min Yoo (Kyungpook National University) Jung-Hee Lee (Kyungpook National University) In Man Kang (Kyungpook National University)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.2
발행연도
2017.4
수록면
223 - 229 (7page)

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This paper analyzes the effect of a dual-metal-gate structure on the electrical characteristics of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors. These structures have two gate metals of different work function values (ф), with the metal of higher ф in the source-side gate, and the metal of lower ф in the drain-side gate. As a result of the different ф values of the gate metals in this structure, both the electric field and electron velocity in the channel become better distributed. For this reason, the transconductance, current collapse phenomenon, breakdown voltage, and radio frequency characteristics are improved. In this work, the devices were designed and analyzed using a 2D technology computer-aided design simulation tool.
#AlGaN/GaN #Dual Metal Gate (DMG) #metal-insulator-semiconductor (MIS) #high electron mobility transistor (HEMTs) #2D technology computer-aided design (TCAD)

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. DEVICE STRUCTURE AND SIMULATION STRATEGY
III. SIMULATION RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES

참고문헌 (16)

참고문헌 신청
S. Sakong, S.-H. Lee, T. Rim, Y.-W. Jo, J.-H. Lee, Y.-H. Jeong, “1/f Charcateristics of Surface- Treated Normally-Off Al2O3/GaN MOSFET,”. IEEE Electron Device Lett, vol. 36, no. 3, pp. 229- 231, Mar, 2015. J.-H. Lee, C. Park, K.-S. Im, and J.-H. Lee, “AlGaN/GaN-Based Lateral-Type Schottky Barrier Diode With Very Low Reverse Recovery Charge at High Temperature,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 10, pp. 3032-3039, Oct. 2013. Y. I. Jang, J. H. Seo, Y. J. Yoon, H. R. Eun, R. H. Kwon, J.-H. Lee, H.-I. Kwon, and I. M. Kang, “Desgn and Analysis of Gate-recessed AlGaN/GaN Fin-type Field-Effect Transistor,” J. Semicond. Technol. Sci., vol. 15, no. 5, pp. 554-562, Oct. 2015. T. Murata, M. Hikita, Y. Hirose, Y. Uemoto, K. Inoue, T. Tanaka, and D. Ueda, “Source Resistance Reduction of AlGaN-GaN HFETs with Novel Superlattice Cap Layer,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 52, no. 6, pp. 1042-1047, Jun. 2005. K.-Y. Park, H.-I. Cho, Eun-Jin Lee, S.-H. Hahm, and J.-H. Lee, “Device Characteristics of AlGaN/GaN MIS-HFET using Al2O3 Based High-k Dielectric,” J. Semicond. Technol. Sci, vol. 5, no. 2, pp. 107-112, Jun. 2005.

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