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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.6
- 수록면
- 484 - 487 (4page)
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5 MeV proton-irradiation with total dose of 10<SUP>15</SUP> /㎠ was performed on AlGaN/GaN-on-Si high electron mobility transistors (HEMTs) with various gate metals including Ni, TaN, W, and TiN to investigate the degradation characteristics. The positive shift of pinch-off voltage and the reduction of on-current were observed from irradiated HEMTs regardless of a type of gate materials. Hall and transmission line measurements revealed the reduction of carrier mobility and sheet charge concentration due to displacement damage by proton irradiation. The shift of pinch-off voltage was dependent on Schottky barrier heights of gate metals. Gate leakage and capacitance-voltage characteristics did not show any significant degradation demonstrating the superior radiation hardness of Schottky gate contacts on GaN.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTS
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES
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