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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.17 No.3
- 발행연도
- 2017.6
- 수록면
- 370 - 377 (8page)
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This paper presents a simple noise margin (NM) model of MOS current mode logic (MCML) gates especially in CMOS processes where a large device mismatch deteriorates logic reliability. Tradeoffs between speed and logic reliability are discussed, and a simple yet accurate NM equation to capture process-dependent degradation is proposed. The proposed NM equation is verified for 130-㎚, 110-㎚, 65-㎚, and 40-㎚ CMOS processes and has errors less than 4% for all cases.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. DERIVATION OF STATIC NOISE MARGIN MODEL IN MOS CML GATE
Ⅲ. SIMULATION RESULTS AND COMPARISON
Ⅳ. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
A. Tanabe, et al, “0.18-μm CMOS 10-Gb/s multiplexer/demultiplexer ICs using current mode logic with tolerance to threshold voltage fluctuation,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36, no. 6, pp. 988?996, Jun. 2001.
P. Heydari and R. Mohanavelu, Design of ultrahigh-speed low-voltage CMOS CML buffers and latches, Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on, vol. 12, no. 10, pp.1081-1093, Oct. 2004.
M. M. Green and U. Singh, Design of CMOS CML circuits for high-speed broadband communications, Circuits and Systems, 2003. ISCAS '03. Proceedings of the 2003 International Symposium on, 2003, pp. II-204-II-207 vol.2
H. Wang, M. Miranda,W. Dehaene, F. Catthoor, and K. Maex, “Systematic analysis of energy and delay impact of very deep submicron variability effects in embedded SRAM modules,” in Proc. Design and Test in Europe (DATE) Conf., Mar. 2005, pp. 914?919.
M. Alioto and G. Palumbo, “Design strategies for source coupled logic gates,” IEEE Trans. Circuits Syst. I, Fundam. Theory Appl., v vol. 50, no. 5, pp. 640?654, May 2003.
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