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이용수
2009
Abstract
I. INTRODUCTION
II. ANALYTICAL POTENTIAL MODEL AND THRESHOLD VOLTAGE
III. VERIFICATION OF POTENTIAL MODEL AND GEOMETRY DEPENDENT THRESHOLD VOLTAGE
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
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INTERNATIONAL CONFERENCE ON FUTURE INFORMATION & COMMUNICATION ENGINEERING
2009 .06
n-FinFET과 p-FinFET의 스페이서 길이에 따른 충돌이온화 특성 비교
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
3차원 포아송방정식을 이용한 FinFET의 문턱전압특성분석
한국정보통신학회논문지
2009 .11
Low-Power Fully Digital Voltage Sensor using 32-nm FinFETs
IEIE Transactions on Smart Processing & Computing
2016 .02
2차원 양자 역학적 모델링 및 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Self Heating Effects in Sub-nm Scale FinFETs
전기전자재료학회논문지
2020 .01
3차원 포아송방정식을 이용한 FinFET의 포텐셜분포 모델
한국정보통신학회논문지
2009 .04
Performance Optimization Study of FinFETs Considering Parasitic Capacitance and Resistance
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2014 .10
Strained Si on Insulator as Potential Material for Forced Stacked Multi-threshold FinFET Based Inverter Considering Ultra Low-Power Applications
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2019 .01
Portfolio of FinFET Memories: Innovative Techniques for an Emerging Technology
대한전자공학회 ISOCC
2008 .11
나노구조 이중게이트 FinFET의 크기변화에 따른 문턱전압이동 및 DIBL 분석
한국정보통신학회논문지
2007 .04
Threshold Voltage Modeling of Double-Gate MOSFETs by Considering Barrier Lowering
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2007 .06
실제적 구조를 가진 벌크 및 SOI FinFET에서 발생하는 동적 self-heating 효과
전자공학회논문지
2015 .10
나노구조 FinFET에서 게이트산화막의 특성에 따른 터널링의 변화 분석
한국정보통신학회논문지
2008 .09
20nm이하 FinFET의 크기변화에 따른 서브문턱스윙분석
한국정보통신학회논문지
2006 .10
I/O FinFET에서 로컬도핑에 대한 고온캐리어 열화 효과 분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
Si Bulk-FinFET의 게이트 길이 감소에 따른 비이상적인 커패시턴스-전압 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
Fin 두께에 따른 Bulk FinFET의 IV 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
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