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본 연구에서는 실제적 구조를 가지는 bulk와 SOI FinFET에서의 self-heating 효과를 3차원 TCAD 전산모사를 통하여 분석하였다. 기존 연구들에서와 마찬가지로 self-heating 효과에 의해 나타나는 정적인 구동전류의 감소는 SOI FinFET에서 bulk FinFET보다 더 심각함을 보여주고 있다. 그러나 고속의 logic 동작 및 실제적 구조를 감안하면 SOI FinFET에서의 동적 self-heating 효과는 bulk FinFET과 큰 차이가 없음을 강조한다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. TCAD Simulation을 위한 소자 구조
Ⅲ. 결과 및 토의
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (12)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - L. T. Su / 1994 / Measurement and modeling of self-heating in SOI nMOSFET’s / IEEE Trans. Electron Devices 41 (1) : 69 ~ 75
[학술지(정기간행물)] - S. Cho / 2011 / Analyses on small-signal parameters and radio-frequency modeling of gate-all-around tunneling field-effect transistors / IEEE Trans. Electron Devices 58 (12) : 4164 ~ 4171
[학술지(정기간행물)] - Makovejev / 2011 / RF extraction of self-heating effects in FinFETs / IEEE Trans. Electron Devices 58 (10) : 3335 ~ 3341
[학술지(정기간행물)] - M. Braccioli / 2009 / Simulation of self-heating effects in different SOI MOS architectures / Solid State Electron 53 (4) : 445 ~ 451
[학술지(정기간행물)] - C. Fiegna / 2008 / Analysis of self-heating effects in ultrathin-body SOI MOSFETs by device simulation / IEEE Trans. Electron Devices 55 (1) : 233 ~ 244
[학술지(정기간행물)] - S. Cho / 2011 / Analyses on small-signal parameters and radio-frequency modeling of gate-all-around tunneling field-effect transistors / IEEE Trans. Electron Devices 58 (12) : 4164 ~ 4171
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