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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.15 No.4
- 발행연도
- 2015.8
- 수록면
- 462 - 470 (9page)
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In this study, we analyze the impacts of the trapezoidal fin shape of a double-gate FinFET on the electrical characteristics of circuits. The trapezoidal nature of a fin body is generated by varying the angle of the sidewall of the FinFET. A technology computeraided-design (TCAD) simulation shows that the onstate current increases, and the capacitance becomes larger, as the bottom fin width increases. Several circuit performance metrics for both digital and analog circuits, such as the fan-out 4 (FO4) delay, ring oscillator (RO) frequency, and cut-off frequency, are evaluated with mixed-mode simulations using the 3D TCAD tool. The trapezoidal nature of the FinFET results in different effects on the driving current and gate capacitance. As a result, the propagation delay of an inverter decreases as the angle increases because of the higher on-current, and the FO4 speed and RO frequency increase as the angle increases but decrease for wider angles because of the higher impact on the capacitance rather than the driving strength. Finally, the simulation reveals that the trapezoidal angle range from 10° to 20° is a good tradeoff between larger on-current and higher capacitance for an optimum trapezoidal FinFET shape.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. TRAPEZOIDAL FINFET
III. IMPACT OF ANGLE VARIATION
IV. IMPACT ON CIRCUIT PERFORMANCE
V. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (23)
참고문헌 신청
[단행본] - Y. Taur / 2009 / Modern VLSI devices / Cambridge Univ. Press
[학술지(정기간행물)] - R. Huang / 2009 / Challenges of 22 nm and beyond CMOS technology / Science in China Series F: Information Sciences 52 (9) : 1491 ~ 1533
[학술대회논문] - M. Bohr / 2011 / The evolution of scaling from the homogeneous era to the heterogeneous era / International Electron Devices Meeting (IEDM) : 1 ~ 1
[학술지(정기간행물)] - E. J. Nowak / 2004 / Turning silicon on its edge double gate CMOS/FinFET technology / Circuits and Devices Magazine, IEEE 20 (1) : 20 ~ 31
[인터넷자원] - Intel Corporation / / 3-D, 22nm: New Technology Delivers An Unprecedented Combination of Performance and Power Efficiency
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[학술대회논문] - M. Bohr / 2011 / The evolution of scaling from the homogeneous era to the heterogeneous era / International Electron Devices Meeting (IEDM) : 1 ~ 1
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