Fin 두께에 따른 Bulk FinFET의 IV 특성 분석

김현석 ,  손도균 ,  강덕승 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

Spacer 길이에 변화에 따른 n-bulk FinFET 전기적 특성 분석

박진수 ,  김재민 ,  이준신

대한전기학회 학술대회 논문집

2020 .07

Self Heating Effects in Sub-nm Scale FinFETs

Khushabu Ag ,  awal ,  Vilas Patil 외 7명

전기전자재료학회논문지

2020 .01

n-FinFET과 p-FinFET의 스페이서 길이에 따른 충돌이온화 특성 비교

김현수 ,  서영수 ,  김종수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

7nm bulk FinFET에서 Via 높이에 따른 Self Heating 효과 분석

김현석 ,  유성원 ,  신형철

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

진공 게이트 스페이서를 지니는 Bulk FinFET의 단채널효과 억제를 위한 소자구조 최적화 연구

연지영 ,  이광선 ,  윤성수 외 3명

전기전자재료학회논문지

2022 .11

실제적 구조를 가진 벌크 및 SOI FinFET에서 발생하는 동적 self-heating 효과

유희상 ,  정하연 ,  양지운

전자공학회논문지

2015 .10

Comparison of GIDL mechanism between MOSFET and FinFET

Duckseoung Kang ,  Dokyun Son ,  Hyunsuk Kim 외 2명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

Source/Drain 상단 Contact을 갖는 Bulk FinFET의 Fin 높이가 On-Current 특성에 미치는 영향

최문정 ,  김상완

대한전자공학회 학술대회

2020 .11

Analysis of Hot Carrier Injection according to Doping Concentration in Channel/Substrate and Spacer Length in Bulk-FinFET

Hyunsoo Kim ,  Youngsoo Seo ,  Jongsu Kim 외 1명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

3D TCAD Analysis of Hot-Carrier Degradation Mechanisms in 10 nm Node Input/Output Bulk FinFETs

Dokyun Son ,  Sangbin Jeon ,  Myounggon Kang 외 1명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2016 .04

FinFET Technology에 적합한 다양한 해상도를 갖는 시간-디지털 변환기 설계

정우송 ,  정덕균

대한전자공학회 학술대회

2022 .06

Effects of Trapezoidal Fin Shape on Performance of Negative-capacitance FinFETs

Mengjie Zhao ,  Weifeng Lü ,  Ziqiang Xie 외 2명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2022 .10

Low-Power Fully Digital Voltage Sensor using 32-nm FinFETs

H. V. Nguyen ,  Youngmin Kim

IEIE Transactions on Smart Processing & Computing

2016 .02

Strained Si on Insulator as Potential Material for Forced Stacked Multi-threshold FinFET Based Inverter Considering Ultra Low-Power Applications

Sangeeta Singh ,  Shashank Dubey ,  Sau 외 3명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2019 .01

Si₁-xGex p-FinFET에서 주된 누설 전류의 메커니즘 분석

손도균 ,  강덕승 ,  김현석 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

표동-확산의 양자역학적 효과를 고려한 10 nm 급 다결정 실리콘 채널 무접합 전계효과 트랜지스터의 설계

이준수 ,  김영민 ,  조성재

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

Negative Differential Capacitance 효과를 활용한 FinFET 및 SOI 소자의 성능 향상 실험 연구

고은아 ,  김예진 ,  김재은 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2017 .11

고유전율 필드 플레이트를 적용한 고전압용 FinFET의 항복 메커니즘 분석 및 최적화

오경환 ,  김향우 ,  서명해 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2021 .06

Impacts of Trapezoidal Fin of 20-nm Double-Gate FinFET on the Electrical Characteristics of Circuits

Myunghwan Ryu ,  Youngmin Kim

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2015 .08