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연지영 (충북대학교 전자공학부) 이광선 (충북대학교) 윤성수 (충북대학교 전자공학부) 연주원 (충북대학교 전자공학부) 배학열 (전북대학교) 박준영 (충북대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제35권 제6호
발행연도
2022.11
수록면
576 - 580 (5page)

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Semiconductor devices have evolved from 2D planar FETs to 3D bulk FinFETs, with aggressive device scaling. Bulk FinFETs make it possible to suppress short-channel effects. In addition, the use of low-k dielectric materials as a vacuum gate spacer have been suggested to improve the AC characteristics of the bulk FinFET. However, although the vacuum gate spacer is effective, correlation between the vacuum gate spacer and the short-channel-effects have not yet been compared or discussed. Using a 3D TCAD simulator, this paper demonstrates how to optimize bulk FinFETs including a vacuum gate spacer and to suppress short-channel effects.

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