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학술저널
저자정보
Esan Jang (Ulsan National Institute of Science and Technology) Sunhae Shin (Ulsan National Institute of Science and Technology) Jae Won Jeong (Ulsan National Institute of Science and Technology) Kyung Rok Kim (Ulsan National Institute of Science and Technology)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.18 No.3
발행연도
2018.6
수록면
295 - 300 (6page)
DOI
10.5573/JSTS.2018.18.3.295

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We propose a novel optimized design strategy by considering the correlated effects of highk gate oxide and spacer dielectric on GIDL and DIBL for high performance nanoscale CMOS with III-V/Ge channel tri-gate FinFET structure. By investigating the transition of GIDL mechanism from vertical to lateral direction in 14-nm InAs n-FinFET and Ge p-FinFET with abrupt and high drain doping, the lateral GIDL is suppressed as 1/100 by high-k spacer with high drive current of 1 mA/um and lower leakage current than 100 nA/um which works on lower operation voltage (VDD= 0.63 V). in addition, DIBL is also suppressed below 100 mV/V by taking relatively lower-k gate oxide than the high-k spacer.
#Advanced CMOS #low bandgap #high mobility #III-V semiconductor #germanium #GIDL #DIBL #FinFET #high-k spacer #well tempered design

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. ANALYTIC CALCULATION MODEL OF GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE FOR LOW BANDGAP SEMICONDUCTOR
III. SIMULATION STRUCTURE & MODEL PARAMETERS
IV. RESULTS AND DISCUSSION
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (21)

참고문헌 신청
Abigail Lubow et al., “Comparison of drive currents in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors made of Si, Ge, GaAs, InGaAs, and InAs channels” Applied Physics Letters Vol.96, 122105., 2010. S. Takagi et al., “Carrier-Transport-Enhanced Channel CMOS for Improved Power Consumption and Performance,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 55, no. 1, pp. 21-39, Jan. 2008. Eneman, Geert, et al. “Impact of Donor Concentration, Electric Field, and Temperature Effects on the Leakage Current in Germanium p+/ n Junctions.” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.55, No.9, pp.2287-2296, Sept. 2008. Wilson, Linda. “International technology roadmap for semiconductors (ITRS).” Semiconductor Industry Association (2013). D. Basu, et al., Ballistic Band-to-Band Tunneling in the OFF State in InGaAs MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 61, no. 10, pp. 3417-3422, Oct. 2014.

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