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Si₁-xGex p-FinFET에서 주된 누설 전류의 메커니즘 분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
Comparison of GIDL mechanism between MOSFET and FinFET
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
Low Leakage III-V/Ge CMOS FinFET Design for High-Performance Logic Applications with High-k Spacer Technology
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2018 .06
n-FinFET과 p-FinFET의 스페이서 길이에 따른 충돌이온화 특성 비교
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
Fin 두께에 따른 Bulk FinFET의 IV 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
Si Bulk-FinFET의 게이트 길이 감소에 따른 비이상적인 커패시턴스-전압 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
Development of Wider Bandgap n-type a-SiOx:H and μc-SiOx:H as Both Doped and Intermediate Reflecting Layer for a-Si:H/a-Si1-xGex:H Tandem Solar Cells
Electronic Materials Letters
2016 .01
Effects of Trapezoidal Fin Shape on Performance of Negative-capacitance FinFETs
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2022 .10
오프 상태 스트레스에 의한 에이징된 P형 Poly-Si TFT에서의 GIDL 전류의 특성
전기전자재료학회논문지
2018 .09
Self Heating Effects in Sub-nm Scale FinFETs
전기전자재료학회논문지
2020 .01
Analysis of Gate Induced Drain Leakage in PMOS SiGe FinFETs under Various Dit Conditions
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
FinFET Technology에 적합한 다양한 해상도를 갖는 시간-디지털 변환기 설계
대한전자공학회 학술대회
2022 .06
Strained Si on Insulator as Potential Material for Forced Stacked Multi-threshold FinFET Based Inverter Considering Ultra Low-Power Applications
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2019 .01
Analysis of GIDL Erase Characteristics in Vertical NAND Flash Memory
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2023 .06
FinFET의 Fin Width와 Height에 따른 TID Effect
대한전자공학회 학술대회
2019 .11
실제적 구조를 가진 벌크 및 SOI FinFET에서 발생하는 동적 self-heating 효과
전자공학회논문지
2015 .10
Source/Drain 상단 Contact을 갖는 Bulk FinFET의 Fin 높이가 On-Current 특성에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
2020 .11
I/O FinFET에서 로컬도핑에 대한 고온캐리어 열화 효과 분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 따른 GIDL 분석
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
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