Comparison of GIDL mechanism between MOSFET and FinFET

Duckseoung Kang ,  Dokyun Son ,  Hyunsuk Kim 외 2명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

실리콘 내부에 있는 slow trap에 의한 TAT 전류 변화 분석

고결 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Planar MOSFET에서 측정을 통한 순수한 Gate Induced Drain Leakage (GIDL) 추출 방법

전상빈 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

정확환 Field Enhancement Factor를 고려하여 트랩 종류에 따른 트랩사이 거리 추출

전현옥 ,  유성원 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Trap Type Dependence of Modulation in TAT Gate-Induced Drain Leakage

Youngsoo Seo ,  Sung-Won Yoo ,  Hyoungwoo Ko 외 3명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

Low Leakage III-V/Ge CMOS FinFET Design for High-Performance Logic Applications with High-k Spacer Technology

Esan Jang ,  Sunhae Shin ,  Jae Won Jeong 외 1명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2018 .06

GIDL 전류 RTN을 발생시키는 트랩 특성에 대한 통계적 분석

유성원 ,  서영수 ,  이현슬 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Multi-gate BCAT Structure and Select Word-line Driver in DRAM for Reduction of GIDL

Chang Young Lim ,  Min-Woo Kwon

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2022 .12

MOSFET I-V 그래프에서 단일트랩이 GIDL current에 미치는 영향분석

이현슬 ,  유성원 ,  신형철

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

FeFET의 국소 분극을 활용한 Gate Induced Drain Current(GIDL) 전류 억제 방법

곽빈 ,  김상우 ,  권기륜 외 6명

대한전자공학회 학술대회

2024 .06

Si₁-xGex FinFET에서 Fin 내부의 불균일한 Ge 비율에 따른 GIDL 특성 분석

강덕승 ,  손도균 ,  김현석 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Analysis of GIDL Erase Characteristics in Vertical NAND Flash Memory

Ho-Nam Yoo ,  Yeongheon Yang ,  Min-Kyu Pa 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2023 .06

Investigation and Optimization of Double-gate MPI 1T DRAM with Gate-induced Drain Leakage Operation

Jongmin Ha ,  Jae Yoon Lee ,  Myeongseon Kim 외 2명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2019 .04

고정 전하 트랩과 억셉터 트랩의 BCAT 누설전류 특성 분석

윤정현 ,  이명진

전기전자학회논문지

2025 .03

MOSFET에서 트랩의 전계와 SRH 전류 변화에 따른 TAT GIDL 전류 변화 분석 및 검증

고결 ,  유성원 ,  고형우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

적층된 Nanosheet 형태의 Gate-All-Around Field -Effect Transistor의 동작 최적화를 위한 PMOS 구조

김문현 ,  이기태 ,  김시현 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2018 .06

GIDL Current Modulation in a Gated Diode Synaptic Device with High-K Gate Stack

Min Kyu Pa ,  k ,  Jong-Ho Bae 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2019 .06

n-FinFET과 p-FinFET의 스페이서 길이에 따른 충돌이온화 특성 비교

김현수 ,  서영수 ,  김종수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

3-D Simulation of Nanoscale SOI n-FinFET at a Gate Length of 8 nm Using ATLAS SILVACO

Nou ,  El Islam Bouko ,  tt 외 7명

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2015 .01

PMO의 제반 역할의 중요성에 대한 PM과 PMO의 인식 차이

윤태호 ,  최성욱 ,  김수연 외 1명

산업경영시스템학회지

2021 .09