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저자정보
고결 (서울대학교) 유성원 (서울대학교) 고형우 (서울대학교) 신형철 (서울대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 정기총회 및 추계학술대회
발행연도
2015.11
수록면
44 - 47 (4page)

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We have observed TAT GIDL current variation induced by the electric field between two traps and the variation of SRH current at trap-detrap site in MOSFET. Unlike the previous research, the direction of electric field without generation-recombination site dose not have a right angle so that the sum of electric field becomes a different value. Additionally, the variation of SRH current is not simply obtained by the distance between two traps. The variation includes the factor of electric field instead. As a result, the leakage current, which is the product of two variables, can be induced by a different method.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌

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