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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.24 No.4
- 발행연도
- 2024.8
- 수록면
- 365 - 372 (8page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2024.24.4.365
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In this paper, we investigated the optimization of the fin width and height with an effective width of 40 nm under the conditions considering self-heating effect (SHE) through TCAD simulation. To ensure the reliability, calibration is performed with transfer curves based on experimental data. We demonstrate the region of device characteristic inversion caused by the difference in thermal resistance based on the variation in the area of heat dissipation for various fin widths. As a result, it is found that a fin width of 10 nm, which is neither too narrow nor too wide, is less affected by SHE.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. SIMULATION SETUP AND CALIBRATION
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES
참고문헌 (30)
참고문헌 신청
R. R. Schaller, "Moore's law: past, present and future," IEEE Spectrum, Vol. 34, No. 6, pp. 52-59, Jun., 1997.
A. Khakifirooz and D. A. Antoniadis, "MOSFET Performance Scaling—Part II: Future Directions," Electron Devices, IEEE Transactions on, Vol. 55, No. 6, pp. 1401-1408, Jun., 2008.
Vadthiya Narendar, R.A. Mishra, "Analytical modeling and simulation of multigate FinFET devices and the impact of high-k dielectrics on short channel effects (SCEs) ," Superlattices and Microstructures, Vol. 85, pp. 357-369, Sep., 2015.
A. Kumar and S. S. Singh, "Optimizing FinFET parameters for minimizing short channel effects," Communication and Signal Processing, 2016, ICCSP 2016, 2016 IEEE International Conference on, 6-8,1448-1451, Apr., 2016.
A. Gill, C. Madhu and P. Kaur, "Investigation of short channel effects in Bulk MOSFET and SOI FinFET at 20nm node technology," Annual IEEE India Conference, 2015, INDICON 2015, 17-20,1-4, Dec., 2015.
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