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자료유형
학술저널
저자정보
안지환 (서울과학기술대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.35 No.12
발행연도
2018.12
수록면
1,131 - 1,136 (6page)
DOI
10.7736/KSPE.2018.35.12.1131

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High-k dielectric thin films are widely applied in energy conversion/storage and information storage devices such as Dynamic Random access Memory (DRAM), Multilayer Ceramic Capacitor (MLCC), thermoelectric devices, etc. Among them, perovskite thin films, for instance, strontium titanate (STO) and barium titanate (BTO) are known to have extremely superior dielectric properties. Atomic layer deposition (ALD), can deposit thin films through atomic layering producing uniform and conformal high-k thin films with precise thickness control. While relatively low crystallinity of film quality due to low deposition temperatures of ALD can develop practical issues, they can be overcome by employing additional processes such as thermal annealing, plasma treatment, and seed layering. ALD, STO and BTO thin films treated with these additional processes demonstrate more improved crystallinity and electrical properties. In this paper, the processes to enhance properties of ALD high-k thin films, BTO and STO films are reviewed. Perspectives into high quality ALD high-k thin films as well as current efforts to further improve the film quality are discussed.
#Atomic layer deposition (원자층 증착법) #High-k thin film (고유전율 박막) #Crystallization (결정화) #Thermal annealing (열처리) #Plasma treatment (플라즈마 처리)

목차

1. 서론
2. 고품질 ALD BTO 및 STO 박막 증착 공정
3. 결론
REFERENCES

참고문헌 (72)

참고문헌 신청
Kingon, A. I., Maria, J.-P., and Streiffer, S., Alternative ielectrics to Silicon Dioxide for Memory and Logic Devices, ature, Vol. 406, No. 6799, pp. 1032-1038, 2000. Kingon, A. I., Maria, J.-P., and Streiffer, S., “Alternative Dielectrics to Silicon Dioxide for Memory and Logic Devices,” Nature, Vol. 406, No. 6799, pp. 1032-1038, 2000. Seo, M., Kim, S. K., Han, J. H., and Hwang, C. S., Permittivity nhanced Atomic Layer Deposited HfO2 Thin Films anipulated by a Rutile Tio2 Interlayer, Chemisty of Materials, ol. 22, No. 15, pp.. 4419-4425, 2010. Seo, M., Kim, S. K., Han, J. H., and Hwang, C. S., “Permittivity Enhanced Atomic Layer Deposited HfO2 Thin Films Manipulated by a Rutile Tio2 Interlayer,” Chemisty of Materials, Vol. 22, No. 15, pp.. 4419-4425, 2010. Leskela, M. and Ritala, M., Atomic Layer Deposition (ALD): rom Precursors to Thin Film Structures, Thin Solid Films, Vol.409, No. 1, pp. 138-146, 2002.

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