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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第5號
발행연도
2007.5
수록면
8 - 14 (7page)

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본 논문에서는 MOS 소자의 게이트 유전체로 사용될 고유전 박막으로 HfO₂/Hf 박막을 제조하여 그 전기적 특성을 관찰하였다. HfO₂박막은 TEMAH와 O₃ 전구체를 사용한 ALD 방법으로 p-type (100) 실리콘 웨이퍼 위에 증착하였다. HfO₂막을 증착시키기 전에 중간층으로써 Hf 금속 층을 증착하였다. Round-type의 MOS 커패시터 제작을 위해, 상부 전극은 Al 또는 Pt을 이용하여 약 2000 Å 두께의 전극을 형성하였다. HfO₂ 박막은 화학정량적 특성을 보였으며, HfO₂/Si 계면에서 Si-O 결합 대신 Hf-Si 결합과 Hf-Si-O 결합이 관찰되었다. HfO₂와 Si 사이의 Hf 중간층은 SiO<SUB>x</SUB>의 성장이 억제되었고, HfSi<SUB>x</SUB>O<SUB>y</SUB>으로 변형되었다. 이러한 결과로 HfO₂/Hf/Si 구조에서 Hf 중간층이 있음으로 게이트 유전체의 고유전율이 유지되면서 계면 특성이 개선됨을 확인하였다.
#ALD (atomic layer deposition) #HfO₂ #Hf #Interface property #HfSiO

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

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