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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Hyunseop Lee (Tongmyong University)
저널정보
한국트라이볼로지학회 Tribology and Lubricants 한국윤활학회지 제34권 제6호
발행연도
2018.12
수록면
226 - 234 (9page)

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Copper chemical mechanical planarization (CMP) has become a key process in integrated circuit (IC) technology. The results of copper CMP depend not only on the mechanical abrasion, but also on the slurry chemistry. The slurry used for Cu CMP is known to have greater chemical reactivity than mechanical material removal. The Cu CMP slurry is composed of abrasive particles, an oxidizing agent, a complexing agent, and a corrosion inhibitor. Citric acid can be used as the complexing agent in Cu CMP slurries, and is widely used for post-CMP cleaning. Although many studies have investigated the effect of citric acid on Cu CMP, no studies have yet been conducted on the interfacial friction characteristics and step height reduction in CMP patterns. In this study, the effect of citric acid on the friction characteristics and step height reduction in a copper wafer with varying pattern densities during CMP are investigated. The prepared slurry consists of citric acid (C<SUB>6</SUB>H<SUB>8</SUB>O<SUB>7</SUB>), hydrogen peroxide (H₂O₂), and colloidal silica. The friction force is found to depend on the concentration of citric acid in the copper CMP slurry. The step heights of the patterns decrease rapidly with decreasing citric acid concentration in the copper CMP slurry. The step height of the copper pattern decreases more slowly in high-density regions than in low-density regions.
#chemical mechanical planarization(CMP) #copper #citric acid #step height reduction #friction force

목차

Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussions
4. Conclusion
References

참고문헌 (20)

참고문헌 신청
Chen, K. W., Wang, Y. L, Liu, C. P., Chang, L., Li, F. Y., Novel slurry solution for dishing elimination in copper process beyond 0.1-μm technology, Thin Solid Film, Vol. 498, pp. 50-55, 2006. DeNardis, D., Rosales-Yeomans, D., Borucki, L., Philipossian, A., Characterization of copper-hydrogen peroxide film growth kinetics, Thin Solid Films, Vol. 513, Issues 1-2, pp. 311-318, 2006. Gorantla, V. R. K., Assiongbon, K. A., Babu, S. V., Roy, D., Citric acid as a complexing agent in CMP of copper, J. Electrochem. Soc. Vol. 152, Issue 5, pp. G404-G410, 2005. Seal, S., Kuiry, S. C., Heinmen, B., Effect of glycine and hydrogen peroxide on chemical-mechanical planarization of copper, Thin Solid Films, Vol. 423, pp. 243-251, 2003. Chen, J. C., Tsai, W. T., Effect of hygrogen peroxide and alumina on surface characteristics of copper chemical-mechanical polishing in citric acid slurry, Mater. Chem. Phys., Vol. 87, pp. 387-393, 2004.

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