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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.3
- 수록면
- 29 - 34 (6page)
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SiC는 큰 에너지 밴드 갭을 갖고, 불순물 도핑에 의해 p형 및 n형 전도의 제어가 용이해서 고온용 전자부품 소재로 활용이 가능한 재료이다. 특히 N2 분위기, 2000℃에서 β-SiC 분말로부터 제조한 다공질 n형 SiC 반도체의 경우, 800～1000℃ 에서의 도전율 값이 단결정 SiC와 비교해서 비슷하거나 오히려 높은 값을 나타내었으며, 반면에 열전도율은 치밀한 SiC 세라믹스와 비교시 1/10∼1/30 정도로 낮은 값을 나타내었다. 본 연구에서는 소결온도를 낮추기 위해 n형 β-SiC에 함침 시킨 polycarbosilane (PCS)의 열분해에 의한 반응소결 공정 (1400～1600℃)으로 다공질 소결체를 제작하였다. 함침 및 소결공정(N2 분위기, 1600℃, 3시간)을 반복함에 따라 상대밀도는 크게 증가하지 않았지만 Seebeck 계수 및 도전율은 크게 증가하였다. 본 연구에서의 열전변환 효율을 반영하는 power factor는 고온에서 상압소결 공정으로 제작한 다공질 SiC 반도체에 비해 1/100～1/10 정도 작게 나타났지만, 미세구조 및 캐리어 밀도를 정밀하게 제어하면, 본 연구에서의 반응소결 공정으로 제작한 SiC 반도체의 열전물성은 크게 향상될 것으로 판단된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
References
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
Y. Suga(Ed.), Thermoelectric Semiconductors, p. 295-355, MakiShyoten, 1966.
D. M. Rowe and C. M. Bjandari, Modern Thermoelectrics, p. 35-48, Holt, Rinehart and Winston Ltd., 1983.
I. B. Cadoff and E. Miller, Thermoelectric Materials and Devices, p. 178-183, Chapman and Hall Ltd., 1960. DOI: https://dx.doi.org/10.1063/1.3057558
K. Uemura and I. Nishida, Thermoelectric Semiconductors and Their Applications, p. 1-11, Nikkan Kogyo Shinbun, 1988.
K. Koumoto, C. H. Pai, S. Takeda, and H. Yanagida, Microstructure-controlled Porous SiC Ceramics for High-temperature Thermoelectric Energy Conversion, Proc. of the 8th Inter. Conf. on Thermoelectric Energy Conversion (Nancy), pp. 107-112, 1989.
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