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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제28권 제4호
발행연도
2018.1
수록면
170 - 174 (5page)

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AlN 결정은 직경 1인치 크기의 기판이 개발되었고 계속 품질의 향상을 위해 연구되고 있다. 한편 2인치급 기판은 UV LED 칩 제조와 원가 감소를 위해 개발이 필요한 실정이다. 본 연구에서는 PVT 법으로 2인치의 AlN 결정을 SiC 기판상에 성장된 AlN 박막을 종자로 사용하여 성장의 가능성을 보고자 하였다. 10 μm 두께의 AlN 박막 결정을 종자결정으로사용하여 두께 7 mm의 AlN 결정을 성장하였다. 성장된 결정은 금속현미경과 실체현미경, DCXRD를 사용하여 분석하였다.

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참고문헌 (12)

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R. Schlesser / 2002 / Seeded growth of AlN bulk single crystals by sublimation / J. Cryst. Growth 241:416 Crossref 강승민 / 2008 / Growth of AlN crystals by the sublimation process / 한국결정성장학회지 18(2):68~71 dbpia 강승민 / 2009 / 승화법으로 성장된 AlN 결정의 성장 양상에 관한 연구 / 한국결정성장학회지 19(5):242~245 dbpia Z.G. Herro / 2010 / Gowth of AlN single crystalline boules / J. Cryst. Growth 312:2515 google schola V. Noveski / 2004 / Mass transfer in AlN crystal growth at high temperature / J. Cryst. Growth 264:369 Crossref

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