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논문 기본 정보

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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제27권 제2호
발행연도
2017.1
수록면
65 - 69 (5page)

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AlN 단결정을 1600~1800 o C의 온도에서 100 torr 이하의 진공하에서 100 o C 간격으로 열처리하였다. AlN 단결정은 고주파유도가열 방식으로 가열되는 성장부를 갖는 성장장치를 사용하여 PVT법으로 얻어내었다. 단결정 시편들의 표면을 광학현미경으로 관찰하였으며, 성장된 압력 하에서 온도에 따라 형상이 달라짐을 알 수 있었다. 본 연구에서는 광학현미경 관찰 결과를 보고하고자 하며, 열처리 온도가 증가함에 따라 표면의 열에칭이 나타났는데, 이는 작은 에치핏의 형성을 통하여 관찰하였다.
#AlN #Single crystals #Heat treatment #Pits #PVT growth

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S. P. Gao / 2004 / Anisotropic spectroscopy of nitrogen K-edge in group-III nitrides / Appl. Phys. Lett. 84 : 2784 ~ google schola W. Li / 2013 / Thermal conductivity of bulk and nanowire InAs, AlN, and BeO polymorphs from first principles / J. of Appl. Phys. 114 : 183505-1 ~ google schola Y. C. Cheng / 2009 / Optical and vibrational properties of 2H-, 4H-, and 6H-AlN: First-principle calculations / J. of Appl. Phys. 105 : 083511-1 ~ google schola 강승민 / 2008 / Growth of AlN crystals by the sublimation process / 한국결정성장학회지 18 (2) : 68 ~ 71 dbpia 강승민 / 2012 / 무종자결정 상에 성장된 AlN 결정의 형태학적 연구 / 한국결정성장학회지 22 (6) : 265 ~ 268 dbpia

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