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저굴절 재료인 F-doped SiOC : H 박막을 Si 웨이퍼와 유리기판위에 rf power, 기판온도, 그리고 가스유량(SiH4,
CF4 and N2O)을 변수로 하여 PECVD법으로 증착하였다. 기판 온도와 rf power 증가에 따라 F-doped SiOC : H 박막의 굴절
률은 감소하는 경향을 보였다. N2O 가스 유량이 감소함에 따라 증착된 박막의 굴절률은 감소하였으며, rf power가 180W,
기판온도 100
o
C, 그리고 N2O 가스를 첨가하지 않은 조건에서 증착한 박막은 최소 굴절률인 1.3778을 갖는 것을 알 수 있
었다. Rf power 60W에서 180 W로 증가시킴에 따라 증착된 박막의 불소 함량은 1.9 at%에서 2.4 at%로 증가하였으며, 이러
한 이유로 박막의 굴절률은 감소하는 경향을 나타냈다.
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참고문헌 (11)
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/ 2001 / Characterization of low-dielectric-constant SiOC thin films deposited by PECVD for interlayer dielectrics of multilevel interconnection 171 : 39 ~
/ 2005 / Low index contrast planar SiON waveguide deposited by PECVD 42 (3) : 178 ~
Appl. Opt. 23-7 / 1984 / [ 3 ] K.H. Guenther “Physical and chemical aspects in the application of thin films on optical elements” : 3612 ~
C.S. Yang / 2005 / The effect of the CH4 plasma treatment on deposited SiOC(-H) films with low dielectric constant prepared by using TMS/O2 PECVD 475 : 150 ~
D. Ochs / 2004 / In situ oxygen plasma cleaning of a PECVD source for hard disk overcoats 78 : 637 ~
/ 2005 / Low index contrast planar SiON waveguide deposited by PECVD 42 (3) : 178 ~
Appl. Opt. 23-7 / 1984 / [ 3 ] K.H. Guenther “Physical and chemical aspects in the application of thin films on optical elements” : 3612 ~
C.S. Yang / 2005 / The effect of the CH4 plasma treatment on deposited SiOC(-H) films with low dielectric constant prepared by using TMS/O2 PECVD 475 : 150 ~
D. Ochs / 2004 / In situ oxygen plasma cleaning of a PECVD source for hard disk overcoats 78 : 637 ~
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