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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 277 - 280 (4page)
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p형 ZnO 에피 박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF-DC magnetron co-sputtering 법으로 성장시켰다. 약 120 nm 두께의 단결정상 박막을 성공적으로 얻어내었다. p형 ZnO를 만들기 위해서 Al 금속 타겟을 이용하여 DC 스퍼터링 으로 400oC와 600oC에서 ZnO를 rf magnetron sputtering으로 증착하고, 동시에 Al의 doping을 행하였으며, 성장된 박막의 결 정성과 광특성에 대하여 고찰하였다.
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G. Xiong / 2002 / Control of p- and n-type conductivity in sputter deposition of undoped ZnO 80 : 1195 ~
K. Minegishi / 1997 / Growth of p-type zinc oxide films by chemical vapor deposition 36 : 1453 ~
K. Minegishi / 1999 / Growth of P-type ZnO crystals 12 : 41 ~
K. Ozaki / 2002 / Strong ultraviolet photoluminescence in polycrystalline ZnO sputtered films 41 : 5614 ~
K. Tamura / 1999 / ZnO ultraviolet lasers 2 : 9 ~
K. Minegishi / 1997 / Growth of p-type zinc oxide films by chemical vapor deposition 36 : 1453 ~
K. Minegishi / 1999 / Growth of P-type ZnO crystals 12 : 41 ~
K. Ozaki / 2002 / Strong ultraviolet photoluminescence in polycrystalline ZnO sputtered films 41 : 5614 ~
K. Tamura / 1999 / ZnO ultraviolet lasers 2 : 9 ~
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